外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

10.3.1.6.4. RLDRAM 3のデータ、DM、QVLD信号

読み出しデータはQKまたはQK#クロックにエッジでアライメントされます。また、書き込みデータはDKおよびDK#クロックに中央でアライメントされます。次の図を参照ください。 メモリー・コントローラーはDKおよびDK#信号をシフトし、DQDKまたはDK#信号を書き込み時に中央でアライメントします。また、読み出し時にQK信号をシフトするため、読み出しデータ (DQ信号) とQKクロックはキャプチャー・レジスターにおいて中央でアライメントされます。

インテルのデバイスは、専用のDQS位相シフト回路を使用して入力されるQK信号を読み出し時にシフトし、PLLを使用してDKDK#信号を書き込み時にDQ信号に対して中央にアライメントします。

図 80. RLDRAM 3読み出し時におけるエッジ・アライメントされたDQとQKの関係


図 81. RLDRAM 3書き込み時における中央アライメントされたDQとDKの関係


RLDRAM 3の場合、データマスク (DM) ピンは書き込み時にのみ使用されます。メモリー・コントローラーは書き込みが有効な場合にDM信号をLowに駆動し、DQ信号をマスクする際はそれをHighに駆動します。

RLDRAM 3の場合、メモリーデバイスごとに2つのDMピンがあります。DM0はx18デバイスの下位バイトとx36デバイスのDQ[8:0]DQ[26:18] をマスクするために使用されます。DM1はx18デバイスの上位バイトとx36デバイスのDQ[17:9]DQ[35:27] をマスクするために使用されます。

メモリーデバイスへの入力におけるDMのタイミング要件は、DQデータのタイミング要件と同じです。書き込みクロックでクロックされるDDRレジスターはDM信号を作成します。これは、DQDM信号間のスキューを低減します。

RLDRAM 3デバイスの書き込みDQDMピンのセットアップ時間 (tDS) とホールド時間 (tDH) は、DKまたはDK#クロックのエッジに対応します。DKDK#信号はシステムクロックのポジティブエッジで生成されるため、CKまたはCK#のポジティブエッジはそれぞれDKまたはDK#のポジティブエッジにアライメントされ、tCKDKの要件を満たします。DQおよびDM信号はシフトされたクロックでクロックされるため、DKまたはDK#のエッジはRLDRAM 3デバイスに到着した際にDQDM信号に対して中央でアライメントされます。

クロック、データ、DMのボードトレース長は厳密に一致させ、それらの信号の到着時間におけるスキューを最小限に抑える必要があります。

RLDRAM 3デバイスにはまた、有効な読み出しデータを示すQVLDピンがあります。QVLD信号はQKまたはQK#にエッジでアライメントされており、メモリーからデータが出力される約1/2クロックサイクル前にHighになります。

注: インテルFPGA外部メモリー・インターフェイスIPはQVLD信号を使用しません。