外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
Public
ドキュメント目次

7.1.3. インテルStratix 10 EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Memory

表 219.  グループ: Memory / Topology
表示名 説明
Memory format 外部メモリーデバイスの形式を指定します。次の形式がサポートされています。Component - ディスクリート・メモリー・デバイス。UDIMM - レジスターなし/バッファーなしDIMMであり、アドレス/制御、クロック、およびデータはバッファーされません。RDIMM - レジスター付きDIMMであり、アドレス/制御、およびクロックがバッファーされます。LRDIMM - 負荷低減DIMMであり、アドレス/制御、クロック、およびデータがバッファーされます。LRDIMMは負荷を低減しメモリー速度を向上させ、RDIMMよりも高い密度をサポートします。SODIMM - Small Outline DIMMはUDIMMに類似していますが、サイズが小さく、スペースに限りがあるシステムに一般的に使用されます。一部のメモリープロトコルは、すべての形式では使用できない場合があります。 (識別子: MEM_DDR4_FORMAT_ENUM)
DQ width インターフェイス内のデータピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR4_DQ_WIDTH)
DQ pins per DQS group 各DQSグループのDQピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR4_DQ_PER_DQS)
Number of clocks メモリー・インターフェイスによって公開されるCK/CK#クロックペアの数を指定します。RDIMMまたはLRDIMMの形式の場合は通常、複数のペアが必要です。このパラメーターの値は、選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのメモリーデバイスのデータシートを確認ください。 (識別子: MEM_DDR4_CK_WIDTH)
Number of chip selects インターフェイス内のチップセレクトの総数を最大4つまで指定します。このパラメーターは、 ディスクリート・コンポーネントのみに適用されます。 (識別子: MEM_DDR4_DISCRETE_CS_WIDTH)
Number of DIMMs DIMMの総数です。 (識別子: MEM_DDR4_NUM_OF_DIMMS)
Chip ID width チップIDピンの数を指定します。3DS/TSVメモリーデバイスを使用するレジスター付きDIMMおよび負荷低減DIMMにのみ適用されます。 (識別子: MEM_DDR4_CHIP_ID_WIDTH)
Number of physical ranks per DIMM DIMMごとのランク数です。LRDIMMの場合、これはメモリーバッファーの後ろにあるDIMMの物理ランク数を表します。 (識別子: MEM_DDR4_RANKS_PER_DIMM)
Row address width 行アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべての行へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR4_ROW_ADDR_WIDTH)
Column address width 列アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべての列へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR4_COL_ADDR_WIDTH)
Bank address width バンク・アドレス・ピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべてのバンクへのアクセスに必要なバンク・アドレス・ピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR4_BANK_ADDR_WIDTH)
Bank group width バンク・グループ・ピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべてのバンクグループへのアクセスに必要なバンク・グループ・ピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR4_BANK_GROUP_WIDTH)
Data mask インターフェイスがデータマスク (DM) ピンを使用するかどうかを示します。この機能により、データバスの指定した部分をメモリーに書き込むことができるようになります (x4モードでは使用できません)。DQSグループごとに1つのDMピンが存在します。 (識別子: MEM_DDR4_DM_EN)
Write DBI インターフェイスが書き込みデータバス反転 (DBI) を使用するかどうかを指定します。この機能は、より良いシグナル・インテグリティーと書き込みマージンをもたらします。この機能は、データマスクが有効になっている場合、またはx4モードの場合は使用できません。 (識別子: MEM_DDR4_WRITE_DBI)
Read DBI インターフェイスが読み出しデータバス反転 (DBI) を使用するかどうかを指定します。この機能を有効にし、より良いシグナル・インテグリティーと読み出しマージンを実現します。この機能は、x4のコンフィグレーションでは使用できません。 (識別子: MEM_DDR4_READ_DBI)
Enable address mirroring for odd chip-selects マルチCSディスクリート・コンポーネントのアドレス・ミラーリングを有効にします。一般的に、コンポーネントがクラムシェルのレイアウトに配置されている場合に使用されます。 (識別子: MEM_DDR4_DISCRETE_MIRROR_ADDRESSING_EN)
Enable address mirroring for odd ranks デュアルランクまたはクアッドランクDIMMのアドレス・ミラーリングを有効にします。 (識別子: MEM_DDR4_MIRROR_ADDRESSING_EN)
Enable ALERT#/PAR pins アドレス/コマンドのキャリブレーションを許可します。これにより、アドレス/コマンド・バスのマージンが向上します。alert_n信号は、AFIまたはAvalonドメインではアクセスできません。これは、パリティーエラーがユーザーモードで発生したかどうかを認識する手段がないことを意味します。パリティーピンは、アドレス/コマンド・バンクの専用ピンですが、alert_nピンは、メモリー・インターフェイスに広がる任意のバンクに配置することが可能です。alert_nピンの位置を明示的に選択し、それをアドレス/コマンド・バンクに配置する必要があります。 (識別子: MEM_DDR4_ALERT_PAR_EN)
ALERT# pin placement mem_alert_n信号の配置を指定します。「I/O Lane with Address/Command Pins」を選択した場合、アドレス/コマンド・バンクのI/Oレーンとピン・インデックスを続くドロップダウン・メニューで選択できます。「I/O Lane with DQS Group」を選択した場合、mem_alert_nピンを配置するDQSグループを指定することが可能です。「Automatically select a location」を選択した場合、IPは自動的にmem_alert_n信号のピンを選択します。このオプションを選択した場合、mem_alert_nピンには位置に関するそのほかの制約を適用することができません。これに従わない場合、コンパイル中にフィッターエラーが発生します。最適なシグナル・インテグリティーを実現するには、「I/O Lane with Address/Command Pins」を選択します。複数のメモリーデバイスを含むインターフェイスの場合、ALERT#ピンを合わせてFPGAのALERT#ピンに接続することが推奨されます。 (識別子: MEM_DDR4_ALERT_N_PLACEMENT_ENUM)
DQS group of ALERT# ALERT#ピンが配置されるDQSグループを選択します。 (識別子: MEM_DDR4_ALERT_N_DQS_GROUP)
Address/command I/O lane of ALERT# ALERT#ピンが配置されるアドレス/コマンドI/Oタイルのレーンを選択します。 (識別子: MEM_DDR4_ALERT_N_AC_LANE)
Pin index of ALERT# ALERT#ピンが配置されるアドレス/コマンドI/Oレーンのピンを選択します。 (識別子: MEM_DDR4_ALERT_N_AC_PIN)
表 220.  グループ: Memory / Latency and Burst
表示名 説明
Memory CAS latency setting 読み出しコマンドと、メモリーデバイスで出力データの最初のビットが使用可能になるまでのクロックサイクルを指定します。全体的な読み出しレイテンシーは、アディティブ・レイテンシー (AL) + CASレイテンシー (CL) に等しくなります。全体的な読み出しレイテンシーは、選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照ください。 (識別子: MEM_DDR4_TCL)
Memory write CAS latency setting 内部書き込みのリリースから、メモリーデバイスで最初のデータがラッチされるまでのクロックサイクル数を指定します。この値は選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照ください。 (識別子: MEM_DDR4_WTCL)
Memory Additive CAS latency setting メモリーデバイスのポストされたCASアディティブ・レイテンシーを決定します。この機能を有効にし、コマンドとバスの効率を向上させ、システムの帯域幅を増加します。 (識別子: MEM_DDR4_ATCL_ENUM)
表 221.  グループ: Memory / Mode Register Settings
表示名 説明
Hide advanced mode register settings アドバンスト・モードのレジスター設定を表示または非表示にします。アドバンスト・モードのレジスター設定をデフォルト以外の値に変更しないことが強く推奨されます。 (識別子: MEM_DDR4_HIDE_ADV_MR_SETTINGS)
Addr/CMD parity latency キャリブレーション後のアドレス/コマンド・パリティー・チェックを有効にすることで追加されるレイテンシーです。Select a valueで、選択した値に関連付けられたレイテンシーでアドレス/コマンド・パリティーを有効にします。Disableを選択すると、アドレス/コマンド・パリティーは無効になります。この設定の値に関係なく、アドレス/コマンドはキャリブレーション中に必要に応じて自動的に有効になります。 (識別子: MEM_DDR4_AC_PARITY_LATENCY)
Burst Length DRAMのバースト長を指定します。これにより、所定の読み出しまたは書き込みコマンドでアクセスされる連続したアドレス数が決まります。 (識別子: MEM_DDR4_BL_ENUM)
Read Burst Type 所定のバースト内のアクセスが、シーケンシャルな順序かインターリーブの順序かを示します。インテルより提供されているメモリー・コントローラーを使用する場合は、シーケンシャルを選択します。 (識別子: MEM_DDR4_BT_ENUM)
Enable the DLL in memory device メモリーデバイスでDLLを有効にします。 (識別子: MEM_DDR4_DLL_EN)
Auto self-refresh method 自動セルフリフレッシュを有効にするか無効にするかを示します。自動セルフリフレッシュでは、手動でセルフリフレッシュを発行するのではなく、コントローラーがセルフリフレッシュ要求を発行することでメモリーがデータを保持できるようになります。 (識別子: MEM_DDR4_ASR_ENUM)
Write CRC enable 書き込みCRCのイネーブルです。 (識別子: MEM_DDR4_WRITE_CRC)
DDR4 geardown mode 高周波数の制御信号にDDR4ギアダウンモードを設定します。(識別子: MEM_DDR4_GEARDOWN)
Per-DRAM addressability DRAMごとのアドレス指定能力のイネーブルです。 (識別子: MEM_DDR4_PER_DRAM_ADDR)
Temperature sensor readout 温度センサー読み出しイネーブルです。 (識別子: MEM_DDR4_TEMP_SENSOR_READOUT)
Fine granularity refresh リフレッシュの短縮と引き換えに、リフレッシュの頻度を増加します。tRFCを短くし、サイクルタイムを増加すると、より高い帯域幅につながります。 (識別子: MEM_DDR4_FINE_GRANULARITY_REFRESH)
MPR read format 多目的レジスター読み出し形式です。 (識別子: MEM_DDR4_MPR_READ_FORMAT)
Maximum power down mode 最大パワーダウン・モードです。 (識別子: MEM_DDR4_MAX_POWERDOWN)
Temperature controlled refresh range 温度制御のリフレッシュ範囲を示します。通常の温度モードは0 Cから85 Cまでであり、拡張モードでは0 Cから95 Cをカバーします。 (識別子: MEM_DDR4_TEMP_CONTROLLED_RFSH_RANGE)
Temperature controlled refresh enable 温度制御のリフレッシュを有効にするかどうかを示します。この機能によりデバイスは、外部のリフレッシュ・コマンドを省略し、内部リフレッシュ周期を通常の温度範囲のtREFIよりも長く調節できるようになります。 (識別子: MEM_DDR4_TEMP_CONTROLLED_RFSH_ENA)
Internal VrefDQ monitor 内部VrefDQモニターを有効にするかどうかを示します。 (識別子: MEM_DDR4_INTERNAL_VREFDQ_MONITOR)
CS to Addr/CMD Latency アイドル状態のDRAMレシーバーの電力削減に向けた、CSからAddr/CMDのレイテンシーです (CALモード)。 (識別子: MEM_DDR4_CAL_MODE)
Self refresh abort レイテンシー低減に向けたセルフリフレッシュのアボートです。 (識別子: MEM_DDR4_SELF_RFSH_ABORT)
Read preamble training mode enable 読み出しプリアンブル・トレーニング・モードのイネーブルです。 (識別子: MEM_DDR4_READ_PREAMBLE_TRAINING)
Read preamble 読み出しプリアンブルのサイクル数です。このモード・レジスターの設定は、トグルを開始する前にDQS (読み出し) がLowになるサイクル数を決定します。デフォルトの読み出しプリアンブル設定を使用することが強く推奨されます。 (識別子: MEM_DDR4_READ_PREAMBLE)
Write preamble 書き込みプリアンブルのサイクルです。デフォルトの書き込みプリアンブル設定を使用することが強く推奨されます。 (識別子: MEM_DDR4_WRITE_PREAMBLE)
ODT input buffer during powerdown mode オンダイ終端 (ODT) 入力バッファーをパワーダウン・モード中に有効にするかどうかを示します。 (識別子: MEM_DDR4_ODT_IN_POWERDOWN)
Addr/CMD persistent error 設定すると、パリティーエラー後も引き続きAddr/CMDパリティーエラーがチェックされます。 (識別子: MEM_DDR4_AC_PERSISTENT_ERROR)