外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

9.3.1.6.4. QDR IV SRAMのデータ、DINV、QVLD信号

読み出しデータはQKAまたはQKB#クロックにエッジでアライメントされています。また、書き込みデータはDKAおよびDKB#クロックに中央でアライメントされています。
QKはDLLによってシフトされるため、クロックエッジを使用してキャプチャー・レジスターでDQをクロック入力できます。
図 78. 読み出し時のエッジ・アライメントされているDQとQKの関係


図 79. 書き込み時の中央アライメントされているDQとDKの関係


インテルFPGA外部メモリー・インターフェイスIPのQKBQKB#ピンの極性は、FPGAの差動入力バッファーの極性に対してスワップされています。つまり、メモリー側のQKBピンをFPGA側の入力バッファーのマイナスピンに接続し、メモリー側のQKB#ピンをFPGA側の入力バッファーのプラスピンに接続する必要があります。IPの最上位のポート名はすでにこのスワップを反映していることに注意してください。つまり、mem_qkbはマイナスのバッファー脚に割り当てられ、mem_qkb_nはプラスのバッファー脚に割り当てられています。

同期の読み出しおよび書き込み入力であるRWx#は、同期のロード入力であるLDx#とともに使用され、読み出しまたは書き込み動作を示します。ポートAの場合、これらの信号はCKクロックの立ち上がりエッジでサンプリングされ、ポートBの場合、これらの信号はCKクロックの立ち下がりエッジでサンプリングされます。

QDR IV SRAMデバイスはすべてのデータピンを反転する機能を備えており、DQデータバスのデータ反転ピンDINVxを使用して潜在的な同時スイッチング・ノイズを低減します。このピンは、DQxピンが反転されているかどうかを示します。

データピンの反転機能を有効にするには、パラメーター・エディターのConfiguration Register Settings > Option Controlをクリックします。

QDR IV SRAMデバイスにはまた、有効な読み出しデータを示すQVLDピンがあります。QVLD信号はQKxまたはQKx#にエッジでアライメントされており、メモリーからデータが出力される約1/2クロックサイクル前にHighになります。

注: インテルZFPGA外部メモリー・インターフェイスIPはQVLD信号を使用しません。