外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
Public
ドキュメント目次

8.4.4. QDR II SRAMのレイアウト手法

上記表のレイアウト・ガイドラインを使用して、インテルは次のレイアウト手法を推奨します。
  1. K/K#クロックを配線し、それらのクロックを出力信号グループのトレース伝播遅延のターゲットとして設定します。
  2. 書き込みデータ出力信号グループ (write databyte write select) を配線します。K/K#クロックと同じ層に、K/K#の±10 psスキュー以内で配線することが理想的です。
  3. アドレス/制御出力信号 (addressRPSWPS) を配線します。K/K#クロックと同じ層に、K/K#トレースの±20 psスキュー以内で配線することが理想的です。
  4. CQ/CQ#クロックを配線し、それらのクロックを入力信号グループのトレース伝播遅延のターゲットとして設定します。
  5. 読み出しデータ出力信号グループ (read data) を配線します。CQ/CQ#クロックと同じ層に、CQ/CQ#トレースの±10 psスキュー以内で配線することが理想的です。
  6. 出力と入力グループの伝播遅延は同一である必要はありませんが、それぞれのグループ内ですべての信号を厳密に一致させる必要があります。
注: インテルでは、完全に実装された外部メモリー・インターフェイスを使用してプロジェクトを作成後、インターフェイスのタイミングマージンを観察し、デザインの実際のマージンを決定することを推奨しています。

この章の推奨事項はシミュレーションに基づくものですが、ボードデザインの最適な終端スキーム、ドライブ強度設定、およびロード方法を決定する際に同じ一般的な原則を適用することができます。この知識に基づき作業を行った場合でも、IBISまたはHSPICEモデルを使用してシミュレーションを実行し、デザインのシグナル・インテグリティーの品質を判断することが重要です。