外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

8.1.4. インテル Stratix 10 EMIF IPにおけるQDR II/II+/II+ Xtremeのパラメーター: Mem Timing

これらのパラメーターは、メモリーデバイスのSpeed Binに関連するデータシートの表から読み取る必要があります (インターフェイスが動作している周波数とは限りません)。
表 262.  グループ: Mem Timing
表示名 説明
Speed bin 使用されるメモリーデバイスのスピードグレードです。このパラメーターは、メモリーデバイスの動作に指定されている最大レートを指します。 (識別子: MEM_QDR2_SPEEDBIN_ENUM)
tRL tRLは、QDRメモリー固有の読み出しレイテンシーです。このパラメーターは、QDRメモリーの書き込みクロック (K) の立ち上がりエッジで読み出しコマンドが登録されてから、メモリーの出力で最初の読み出しデータ (Q) が予期されるまでの時間を示します。読み出しレイテンシーはQDRメモリーデバイスに固有であり、異なる値に変更することはできません。読み出しレイテンシー (tRL) の値には、1.5、2、2.5 clkサイクルがあります。 (識別子: MEM_QDR2_TRL_CYC)
tSA tSAは、クロック (K) の立ち上がりエッジ前のアドレスおよびコマンドバス (A) のセットアップ時間です。アドレスおよびコマンドバスは、Kの立ち上がりエッジ前に少なくともtSAの間安定している必要があります。 (識別子: MEM_QDR2_TSA_NS)
tHA tHAは、クロック (K) の立ち上がりエッジ後のアドレスおよびコマンド制御バス (A) のホールド時間です。アドレスおよびコマンド制御バスは、Kの立ち上がりエッジ後、少なくともtHAの間安定している必要があります (識別子: MEM_QDR2_THA_NS)
tSD tSDは、クロック (K) の立ち上がりエッジ前のデータバス (D) のセットアップ時間です。データバスは、Kの立ち上がりエッジ前に少なくともtSDの間安定している必要があります。 (識別子: MEM_QDR2_TSD_NS)
tHD tHDは、クロック (K) の立ち上がりエッジ後のデータバス (D) のホールド時間です。データバスはKの立ち上がりエッジ後に少なくともtHDの間安定している必要があります。 (識別子: MEM_QDR2_THD_NS)
tCQD tCQDは、エコー・クロック・エッジと読み出しデータバス (Q) 上の有効データ間に想定される最大時間です。 (識別子: MEM_QDR2_TCQD_NS)
tCQDOH tCQDOHは、エコークロック (CQまたはCQ#) エッジと最後の有効読み出しデータ (Q) の間に想定される最大時間です。 (識別子: MEM_QDR2_TCQDOH_NS)
Internal Jitter QDRIIの内部ジッターです。 (識別子: MEM_QDR2_INTERNAL_JITTER_NS)
tCQH tCQHは、エコークロック (CQ、#CQ) が論理的にHighとみなされる期間を示します。 (識別子: MEM_QDR2_TCQH_NS)
tCCQO tCCQOは、QDRIIメモリーデバイスのCクロックの立ち上がりエッジとエコークロック (CQ) の立ち上がりエッジ間のスキューを表します。 (識別子: MEM_QDR2_TCCQO_NS)