外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

10.1.4. インテルStratix 10 EMIF IPにおけるRLDRAM 3のパラメーター: Mem Timing

これらのパラメーターは、メモリーデバイスのSpeed Binに関連するデータシートの表から読み取る必要があります (インターフェイスが動作している周波数とは限りません)。
表 323.  グループ: Mem Timing
表示名 説明
Speed bin 使用されるメモリーデバイスのスピードグレードです。このパラメーターは、メモリーデバイスの動作に指定されている最大レートを指します。 (識別子: MEM_RLD3_SPEEDBIN_ENUM)
tDS (base) tDS (base) は、DQSストローブの立ち上がりエッジ前のデータ (DQ) バスのセットアップ時間を指します。 (識別子: MEM_RLD3_TDS_PS)
tDS (base) AC level tDS (base) AC levelは、セットアップ・マージンのウィンドウにおいてデータバスが交差し、それよりも上で維持されなければならない電圧レベルを指します。この信号は、セットアップ時間全体においてこの電圧レベルよりも上で維持されている場合 (ロジック1の場合)、またはこの電圧レベルよりも下で維持されている場合 (ロジック0の場合) にのみ安定しているとみなされます。 (識別子: MEM_RLD3_TDS_AC_MV)
tDH (base) tDH (base) は、CKの立ち上がりエッジ後のデータ (DQ) バスのホールド時間です。 (識別子: MEM_RLD3_TDH_PS)
tDH (base) DC level tDH (base) DC levelは、ホールドウィンドウにおいてデータバスが交差してはならない電圧レベルです。この信号は、ホールド時間全体においてこの電圧レベルよりも上で維持されている場合 (ロジック1の場合)、またはこの電圧レベルよりも下で維持されている場合 (ロジック0の場合) にのみ安定しているとみなされます。 (識別子: MEM_RLD3_TDH_DC_MV)
tQKQ_max tQKQ_maxは、読み出しストローブ (QK) クロックエッジデータバス (DQ/DINV) エッジの間の最大スキューを示します。 (識別子: MEM_RLD3_TQKQ_MAX_PS)
tQH tQHは、QKに対するDQ/DINVの出力ホールド時間を指定します。 (識別子: MEM_RLD3_TQH_CYC)
tCKDK_max tCKDK_maxは、メモリークロック (CK) から書き込みストローブ (DK) までの最大スキューを指します。(識別子: MEM_RLD3_TCKDK_MAX_CYC)
tCKDK_min tCKDK_minは、メモリークロック (CK) から書き込みストローブ (DK) までの最小スキューです。 (識別子: MEM_RLD3_TCKDK_MIN_CYC)
tCKQK_max tCKQK_maxは、メモリークロック (CK) から読み出しストローブ (QK) までの最大スキューです。 (識別子: MEM_RLD3_TCKQK_MAX_PS)
tIS (base) tIS (base) は、CKの立ち上がりエッジに対するアドレス/コマンド/制御 (A) バスのセットアップ時間を指します。 (識別子: MEM_RLD3_TIS_PS)
tIS (base) AC level tIS (base) AC levelは、セットアップ・マージンのウィンドウにおいてアドレス/コマンド信号が交差し、それよりも上で維持されなければならない電圧レベルを指します。この信号は、セットアップ時間全体においてこの電圧レベルよりも上で維持されている場合 (ロジック1の場合)、またはこの電圧レベルよりも下で維持されている場合 (ロジック0の場合) にのみ安定しているとみなされます。 (識別子: MEM_RLD3_TIS_AC_MV)
tIH (base) tIH (base) は、CKの立ち上がりエッジ後のアドレス/コマンド (A) バスのホールド時間を指します。ユーザーがデザインに選択したACレベルに応じてホールドマージンは変化します (これは、ユーザーが「tIH (base) AC level」を選択すると自動的に変化し決定します)。 (識別子: MEM_RLD3_TIH_PS)
tIH (base) DC level tIH (base) DC levelは、ホールドウィンドウにおいてアドレス/コマンド信号が交差してはならない電圧レベルです。この信号は、ホールド時間全体においてこの電圧レベルよりも上で維持されている場合 (ロジック1の場合)、またはこの電圧レベルよりも下で維持されている場合 (ロジック0の場合) にのみ安定しているとみなされます。 (識別子: MEM_RLD3_TIH_DC_MV)