外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

7.4.4.8. DDR4ツインダイデバイスに対する追加レイアウト・ガイドライン

ツインダイのDDR4メモリーデバイスでは、アドレス、コマンド、およびメモリークロック信号の容量性負荷が増加するため、フライバイトポロジーにおいてシグナル・インテグリティーに影響を与える可能性があります。

適切なPCBのレイアウトを確立するには、ボードレベルのシミュレーションを実行し、フライバイトポロジー、トレース・インピーダンス、および終端を最適化する必要があります。次の手法は、シグナル・インテグリティーの改善に役立ちます。

  • フライバイのコンポーネント配置: クラムシェル・トポロジーなどのコンパクトなレイアウトは、反射を悪化させる傾向があります。最初のDRAMでの反射を減らすには、他のフライバイの配線長に対して1番目と2番目のDRAMの間に信号配線を追加します。
  • PCBのトレース・インピーダンス: 最初のDRAMから最後のDRAMまでのトレース・インピーダンスを増加させることにより、反射を低減することができます。ただし、細いトレースはPCBの製造に問題が生じる可能性があることに注意してください。
  • ボード・シミュレーション・モデル: IBISモデルの相関精度をメモリーベンダーに確認し、パッケージの損失がモデル化されているかどうかを識別します。場合によっては、HSPICEシミュレーション・モデルのほうがより正確です。
  • 終端: Vttの並列終端を異なる値で検証します。

ハードウェアのテスト中にメモリー・テスト・エラーが発生し、アドレスおよびコマンドのシグナル・インテグリティーに関する問題が疑われる場合は、次のようにアドレスおよびコマンドのシグナル・インテグリティーを確認できます。

  • オシロスコープでalert_n信号をプローブし、メモリーがキャリブレーションされた後の立ち下がりエッジを識別します。アドレスおよびコマンド信号のパリティーエラーにより、alert_nは低パルスになります。