外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

7.4.4.7. クラムシェル・トポロジー

DDR4におけるクラムシェル・トポロジーでは、SDRAMはチップの両側に沿って2つの層に配置され、個々のメモリーデバイスは互いに向かい合っています。このコンフィグレーションでは、メモリーデバイスが単一の層に配置されるフライバイトポロジーよりも専有面積が小さくなります。

クラムシェル・トポロジーが占有する面積は小さいため、必要になるボードスペースはフライバイトポロジーよりも少なくなります。ただし、クラムシェル・トポロジーではメモリーデバイスが近接しているため、シグナル・インテグリティーの問題を防ぐために必要なデバイスの配線がより複雑になります。

アドレス・ミラーリングを実装し、クロストークなどの望ましくない影響を最小限に抑えることができます。アドレス・ミラーリングを実装するには、個別のチップセレクトが必要です。

  • ミラーリングされないコンポーネントの最上層にアクセスするチップセレクト
  • ミラーリングされるコンポーネントの最下層にアクセスするチップセレクト

必要なチップセレクトの総数はインターフェイスのランクの2倍です。例えば、シングルランクのメモリー・インターフェイスには2つのチップセレクトが必要です。アドレス・ミラーリングを考慮する場合、インターフェイスの適切なキャリブレーションには2つのチップセレクトが必要です。 インテル® Stratix® 10のI/O列には4つのチップセレクト・ピンがあるため、最大4ランクをサポートするフライバイトポロジーに対して、クラムシェル・メモリー・トポロジーの外部メモリー・インターフェイスは最大2ランクになります。

JEDEC仕様JESD21-Cは、 DDR4のアドレス・ミラーリングを次の表のように定義しています。

表 248.  アドレス・ミラーリング
メモリー・コントローラー・ピン DRAMピン (ミラーリングなし) DRAMピン (ミラーリングあり)
A3 A3 A4
A4 A4 A3
A5 A5 A6
A6 A6 A5
A7 A7 A8
A8 A8 A7
A11 A11 A13
A13 A13 A11
BA0 BA0 BA1
BA1 BA1 BA0
BG0 (1) BG0 BG1
BG1 (1) BG1 BG0
(1) BG0およびBG1は、メモリーデバイスにピンBG1が存在する場合にのみミラーリングできます。

外部メモリー・インターフェイスでのクラムシェル・トポロジーの有効化

  1. 要件に応じて単一のメモリー・インターフェイスをコンフィグレーションします。
  2. パラメーター・エディターのGeneralタブで、Use clamshell layoutを選択します。
  3. チップセレクト・ピンの数をランクの数に等しくなるように設定します。