外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

10.1.3. インテルStratix 10 EMIF IPにおけるRLDRAM 3のパラメーター: Memory

表 321.  グループ: Memory / Topology
表示名 説明
DQ width per device 各RLDRAM3デバイスのDQピンの数を指定します。DQで使用可能な幅はx18とx36です。 (識別子: MEM_RLD3_DQ_PER_DEVICE)
Enable DM pins インターフェイスがDMピンを使用するかどうかを示します。有効になっている場合、書き込みデータグループごとに1つのDMピンが追加されます。 (識別子: MEM_RLD3_DM_EN)
Enable width expansion 2つのメモリーデバイスを組み合わせてデータバス幅を2倍にするかどうかを示します。2つのデバイスで、インターフェイスは最大72ビットの幅拡張のコンフィグレーションをサポートします。幅拡張のコンフィグレーションの場合、アドレスおよび制御信号は2つのデバイスに配線されます。 (識別子: MEM_RLD3_WIDTH_EXPANDED)
Enable depth expansion using twin die package 2つのRLDRAM3デバイスを組み合わせてアドレススペースを2倍にするかどうかを示します。これにより密度が高まります。 (識別子: MEM_RLD3_DEPTH_EXPANDED)
Address width アドレスピンの数です。 (識別子: MEM_RLD3_ADDR_WIDTH)
Bank address width バンク・アドレス・ピンの数です。 (識別子: MEM_RLD3_BANK_ADDR_WIDTH)
表 322.  グループ: Memory / Mode Register Settings
表示名 説明
tRC tRCを制御するモードレジスター設定を決定します (アクティブ化からアクティブ化のタイミング・パラメーター)。 メモリーベンダーより提供されているデータシートのtRCの表を参照ください。tRCは、メモリーのスピードグレードとデータのレイテンシーに基づいて設定します。 (識別子: MEM_RLD3_T_RC_MODE_ENUM)
Data Latency データのレイテンシーを制御するモードレジスター設定を決定します。読み出しと書き込みの両方のレイテンシー (RLおよびWL) を設定します。 (識別子: MEM_RLD3_DATA_LATENCY_MODE_ENUM)
Output drive 出力ドライブ設定を制御するモードレジスター設定を決定します。 (識別子: MEM_RLD3_OUTPUT_DRIVE_MODE_ENUM)
ODT ODT設定を制御するモードレジスター設定を決定します。 (識別子: MEM_RLD3_ODT_MODE_ENUM)
AREF protocol AREFプロトコル設定を制御するモードレジスター設定を決定します。 AUTO REFRESH (AREF) プロトコルはモードレジスター1を設定することで選択されます。RLDRAMにAREFコマンドを発行する方法は2つあり、メモリー・コントローラーはバンクアドレスが制御されたコマンド、またはマルチバンクAREFコマンドを発行できます。マルチバンク・リフレッシュ・プロトコルでは、最大4つのバンクで行の同時リフレッシュが可能です。 (識別子: MEM_RLD3_AREF_PROTOCOL_ENUM)
Burst length バースト長を制御するモードレジスター設定を決定します。 (識別子: MEM_RLD3_BL)
Write protocol 書き込みプロトコル設定を制御するモードレジスター設定を決定します。複数のバンクが選択されている場合 (デュアルバンクまたはクアッドバンク)、同一のデータが複数のバンクに書き込まれます。 (識別子: MEM_RLD3_WRITE_PROTOCOL_ENUM)