外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

7.3.3.3. クロック信号

DDR3 およびDDR4 のSDRAMデバイスは、CKおよびCK#信号を使用してアドレスおよびコマンド信号をメモリーに入力します。 また、メモリーはこれらのクロック信号を使用し、メモリー内のDLLを介した読み出し中にDQS信号を生成します。SDRAMのデータシートは、次のタイミングを指定しています。
  • tDQSCKは、CKまたはCK#信号とSDRAMで生成されるDQS信号間のスキューです。
  • tDSHは、CK立ち上がりエッジからDQS立ち下がりエッジのホールド時間です。
  • tDSSは、CK立ち上がりエッジからDQS立ち下がりエッジのセットアップ時間です。
  • tDQSSは、CK立ち上がりエッジに対するポジティブDQSラッチエッジです。

SDRAMには書き込み要件 (tDQSS) があり、書き込み時のDQS信号のポジティブエッジがSDRAMクロック入力のポジティブエッジの± 25% (± 90°) 以内でなければならないと示されています。そのため、CKおよびCK#信号は、IOEのDDRレジスターを使用して生成することでDQS信号と一致させ、プロセス、電圧、温度の変動を低減する必要があります。SDRAMクロック (CK) のポジティブエッジは、tDQSSを満たすためにDQS書き込みにアライメントされます。

DDR3 SDRAMは、デイジーチェーンの制御アドレスコマンド (CAC) トポロジーを使用することができます。このトポロジーでは、メモリークロックが各チップに異なる時間で到達する必要があります。CACトポロジーを使用する際にデバイス間におけるフライトタイムのスキューを補正するには、書き込みレベリングを使用する必要があります。