外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

10.3.1.6.3. RLDRAM 3のクロック信号

RLDRAM 3デバイスはCKおよびCK#信号を使用し、コマンドおよびアドレスバスにシングル・データ・レート (SDR) でクロックを提供します。 RLDRAM 3デバイスごとに1組のCKCK#ピンがあります。

RLDRAM 3デバイスでは、ストローブの代わりに2セットのフリーランニングの差動クロックがデータにともないます。DKおよびDK#クロックは差動入力データクロックで、書き込み時に使用されます。QKおよびQK#クロックは出力データクロックで、読み出し時に使用されます。RLDRAM 3のデータシートによると、QKおよびQK#信号は差動信号ではありませんが、Micronはテストと特性評価でこれらの信号をそのように扱います。DKDK#、またはQKQK#クロックのそれぞれのペアは、9データビットもしくは18データビットに関連付けられます。

正確なクロックとデータの関係は次のとおりです。

  • RLDRAM 3: ×36のデータバス幅のコンフィグレーションの場合、18データビットが書き込みクロックのそれぞれのペアに関連付けられます。読み出しクロックのそれぞれのペアには9データビットが関連付けられます。よって、DKDK#ピンが2組、QKQK#ピンが4組あります。
  • RLDRAM 3: ×18のデータバス幅のコンフィグレーションの場合、書き込みクロック1組ごとに9データビット、読み出しクロック1組ごとに9データビットがあります。よって、DKDK#ピンが2組、QKQK#ピンが2組あります。
  • RLDRAM 3: RLDRAM 3には×9データバス幅のコンフィグレーションはありません。

CKDK、またはCK#DK#間のスキューには、tCKDKのタイミング要件があります。

RLDRAM 3の場合、これらのI/Oピンの負荷のため、達成できる最大周波数はインテルのデバイスに接続するメモリーデバイスの数によって異なります。SPICEまたはIBISのシミュレーションを実行し、複数のRLDRAM 3デバイスのピンペアの負荷の影響を分析します。