外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

3.3. インテル® Stratix® 10 EMIFのキャリブレーション

キャリブレーション・プロセスは、外部メモリー・インターフェイスのスキューと遅延を補償します。

キャリブレーション・プロセスにより、システムは次のような要因による影響を補償できます。

  • セットアップ/ホールド・タイムおよびVrefの変動など、タイミングおよび電気的な制約
  • スキュー、フライバイの影響、製造時のばらつきなど、回路基板とパッケージ上の要因
  • 電圧や温度の変動などの環境上の不確実性
  • 高速オペレーションに付随する小さなマージンへの厳しい要求

特定の外部メモリー・インターフェイスでは、キャリブレーションはDQSグループとI/Oバンクすべてに並行に行われます。複数の外部メモリー・インターフェイスを含むI/O列の場合、インターフェイスに関する特定のキャリブレーション順序はありません。ただし、特定のSRAMオブジェクト・ファイル (.sof) においては、キャリブレーションはかならず同じ順序で行われます。

注: キャリブレーション・プロセスは、堅牢なEMIFの動作に向けてマージンを最大化することを目的としています。不適切なPCBレイアウトを補償することはできません。