外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

6.1.3. インテルStratix 10 EMIF IPにおけるDDR3のパラメーター: Memory

表 179.  グループ: Memory / Topology
表示名 説明
Memory format 外部メモリーデバイスの形式を指定します。次の形式がサポートされています。Component - ディスクリート・メモリー・デバイス。UDIMM - レジスターなし/バッファーなしDIMMであり、アドレス/制御、クロック、およびデータはバッファーされません。RDIMM - レジスター付きDIMMであり、アドレス/制御、およびクロックがバッファーされます。SODIMM - Small Outline DIMMはUDIMMに類似していますが、サイズが小さく、スペースに限りがあるシステムに一般的に使用されます。一部のメモリープロトコルは、すべての形式では使用できない場合があります。 (識別子: MEM_DDR3_FORMAT_ENUM)
DQ width インターフェイス内のデータピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR3_DQ_WIDTH)
DQ pins per DQS group 各DQSグループのDQピンの総数を指定します。 (識別子: MEM_DDR3_DQ_PER_DQS)
Number of clocks メモリー・インターフェイスによって公開されるCK/CK#クロックペアの数を指定します。RDIMMまたはLRDIMMの形式の場合は通常、複数のペアが必要です。このパラメーターの値は、選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのメモリーデバイスのデータシートを確認ください。 (識別子: MEM_DDR3_CK_WIDTH)
Number of chip selects インターフェイス内のチップセレクトの総数を最大4つまで指定します。このパラメーターは、 ディスクリート・コンポーネントのみに適用されます。 (識別子: MEM_DDR3_DISCRETE_CS_WIDTH)
Number of DIMMs DIMMの総数です。 (識別子: MEM_DDR3_NUM_OF_DIMMS)
Number of physical ranks per DIMM DIMMごとのランク数です。LRDIMMの場合、これはメモリーバッファーの後ろにあるDIMMの物理ランク数を表します。 (識別子: MEM_DDR3_RANKS_PER_DIMM)
Row address width 行アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべての行へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR3_ROW_ADDR_WIDTH)
Column address width 列アドレスピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべての列へのアクセスに必要なアドレスピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR3_COL_ADDR_WIDTH)
Bank address width バンク・アドレス・ピンの数を指定します。お使いのメモリーデバイスのデータシートを参照ください。選択したメモリーデバイスの集積度により、使用可能なすべてのバンクへのアクセスに必要なバンク・アドレス・ピンの数が決定します。 (識別子: MEM_DDR3_BANK_ADDR_WIDTH)
Enable DM pins インターフェイスがデータマスク (DM) ピンを使用するかどうかを示します。この機能により、データバスの指定した部分をメモリーに書き込むことができるようになります (x4モードでは使用できません)。DQSグループごとに1つのDMピンが存在します。 (識別子: MEM_DDR3_DM_EN)
Enable address mirroring for odd chip-selects マルチCSディスクリート・コンポーネントのアドレス・ミラーリングを有効にします。一般的に、コンポーネントがクラムシェルのレイアウトに配置されている場合に使用されます。 (識別子: MEM_DDR3_DISCRETE_MIRROR_ADDRESSING_EN)
Enable address mirroring for odd ranks デュアルランクまたはクアッドランクDIMMのアドレス・ミラーリングを有効にします。 (識別子: MEM_DDR3_MIRROR_ADDRESSING_EN)
ALERT# pin placement mem_alert_n信号の配置を指定します。「I/O Lane with Address/Command Pins」または「I/O Lane with DQS Group」を選択することができます。「I/O Lane with DQS Group」を選択した場合、mem_alert_nピンを配置するDQSグループを指定することが可能です。最適なシグナル・インテグリティーを実現するには、「I/O Lane with Address/Command Pins」を選択します。複数のメモリーデバイスを含むインターフェイスの場合、ALERT#ピンを合わせてFPGAのALERT#ピンに接続することが推奨されます。 (識別子: MEM_DDR3_ALERT_N_PLACEMENT_ENUM)
DQS group of ALERT# ALERT#ピンが配置されるDQSグループを選択します。 (識別子: MEM_DDR3_ALERT_N_DQS_GROUP)
表 180.  グループ: Memory / Latency and Burst
表示名 説明
Memory CAS latency setting 読み出しコマンドと、メモリーデバイスで出力データの最初のビットが使用可能になるまでのクロックサイクルを指定します。全体的な読み出しレイテンシーは、アディティブ・レイテンシー (AL) + CASレイテンシー (CL) に等しくなります。全体的な読み出しレイテンシーは、選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照ください。 (識別子: MEM_DDR3_TCL)
Memory write CAS latency setting 内部書き込みのリリースから、メモリーデバイスで最初のデータがラッチされるまでのクロックサイクル数を指定します。この値は選択したメモリーデバイスによって異なります。お使いのデバイスのデータシートを参照ください。 (識別子: MEM_DDR3_WTCL)
Memory Additive CAS latency setting メモリーデバイスのポストされたCASアディティブ・レイテンシーを決定します。この機能を有効にし、コマンドとバスの効率を向上させ、システムの帯域幅を増加します。 (識別子: MEM_DDR3_ATCL_ENUM)
表 181.  グループ: Memory / Mode Register Settings
表示名 説明
Hide advanced mode register settings アドバンスト・モードのレジスター設定を表示または非表示にします。アドバンスト・モードのレジスター設定をデフォルト以外の値に変更しないことが強く推奨されます。 (識別子: MEM_DDR3_HIDE_ADV_MR_SETTINGS)
Burst Length DRAMのバースト長を指定します。これにより、所定の読み出しまたは書き込みコマンドでアクセスされる連続したアドレス数が決まります。 (識別子: MEM_DDR3_BL_ENUM)
Read Burst Type 所定のバースト内のアクセスが、シーケンシャルな順序かインターリーブの順序かを示します。インテルより提供されているメモリー・コントローラーを使用する場合は、シーケンシャルを選択します。 (識別子: MEM_DDR3_BT_ENUM)
DLL precharge power down プリチャージ・パワーダウン中に、メモリーデバイスのDLLをオフにするかオンにするかを指定します。 (識別子: MEM_DDR3_PD_ENUM)
Enable the DLL in memory device メモリーデバイスでDLLを有効にします。 (識別子: MEM_DDR3_DLL_EN)
Auto self-refresh method 自動セルフリフレッシュを有効にするか無効にするかを示します。自動セルフリフレッシュでは、手動でセルフリフレッシュを発行するのではなく、コントローラーがセルフリフレッシュ要求を発行することでメモリーがデータを保持できるようになります。 (識別子: MEM_DDR3_ASR_ENUM)
Self-refresh temperature セルフリフレッシュの温度を「Normal」または「Extended」モードで指定します。NormalおよびExtendedの温度モードの詳細は、メモリーデバイスのデータシートに記載されています。 (識別子: MEM_DDR3_SRT_ENUM)
DDR3 RDIMM/LRDIMM control words 4ビットまたは8ビットのそれぞれの設定はメーカーのデータシートから取得可能であり、16進数で入力する必要があります。これは、左側が8ビット設定のRCBxで始まりRC1xが続き、その後4ビット設定のRCOF、そして右側がRC00で終わります。 (識別子: MEM_DDR3_RDIMM_CONFIG)
DDR3 LRDIMM additional control words 4ビットの各設定はメーカーのデータシートから取得可能であり、左側がBC0Fで始まり右側がBC00で終わる16進数で入力する必要があります。 (識別子: MEM_DDR3_LRDIMM_EXTENDED_CONFIG)