外部メモリー・インターフェイス・インテル® Stratix® 10 FPGA IPユーザーガイド

ID 683741
日付 9/30/2019
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ドキュメント目次

8.3.1.6.5. QDR II、QDR II+、QDR II+ Xtreme SRAMのデータ、BWS、QVLD信号

QDR II、QDR II+、QDR II+ Xtreme SRAMデバイスは2つの単方向データバスを使用します。このデータバスは、1つは書き込み用 (D) 、1つは読み出し用 (Q) です。

ピンでは、読み出しデータはCQおよびCQ#クロックにエッジでアライメントされ、書き込みデータはKおよびK#クロックに中央でアライメントされます。次の図を参照ください。

図 73. QDR II+ SRAM読み出し時のエッジでアライメントされたCQとQの関係


図 74. QDR II+ SRAM書き込み時の中央でアライメントされたKとDの関係


バイト書き込みセレクト信号 (BWS#) は、メモリーデバイスに書き込むバイトを示します。

QDR II+およびQDR II+ Xtreme SRAMデバイスはまた、有効な読み出しデータを示すQVLDピンを備えます。QVLD信号は、エコークロックにエッジでアライメントされており、メモリーからデータが出力される約1/2クロックサイクル前にHighにアサートされます。

注: インテルのFPGA外部メモリー・インターフェイスIPは、QVLD信号を使用しません。