外部メモリー・インターフェイス・ インテル® Agilex™ FPGA IPユーザーガイド

ID 683216
日付 12/14/2020
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ドキュメント目次

6.4.6.5. DDR4ディスクリート・コンフィグレーションの電力供給に関する推奨事項

この項では、ディスクリート・トポロジーのメモリー側における電源供給ネットワーク (PDN) のデザイン・ガイドラインについて説明します。
注: FPGAにおけるタイミングマージンを満たす電源供給ネットワークのデザインに関しては、インテルAgilex PDNのデザイン・ガイドラインを参照してください。

次の表では、デカップリング・コンデンサーの数は単一のチャネルに基づいています。複数のチャネルで同じ電源レールを共有している場合は、メモリーのデカップリング・コンデンサーの数をすべてのチャネルに応じてスケーリングする必要があります。

プリント回路基板のPDNパスの面積、インダクタンス、および抵抗を最小限に抑えるには、物理的に小さいデカップリング・コンデンサーが推奨されます。

表 109.  メモリー側に対してPCBで必要なデカップリング・コンデンサー
メモリーのコンフィグレーション 電源ドメイン デカップリング位置 数量 × 値 (サイズ)
ディスクリート (コンポーネント) シングルランクx8 VDDQ/VDDショート 各x8 DRAMデバイスの近くに4つ 36 x 1uF (0402)
DRAMデバイス周囲に分配 9 x 10uF (0603)
VPP 各x8 DRAMデバイスの近くに2つ 18 x 1uF (0402)
DRAMデバイス周囲に分配 5 x 10uF (0603)
VTT Rtt (終端抵抗) の近くに配置 16 x 1uF (0402)
Rtt (終端抵抗) の近くに配置 4 x 10uF (0603)
ディスクリート (コンポーネント) シングルランクx16 VDDQ/VDDショート 各x16 DRAMデバイスの近くに4つ 18 x 1uF (0402)
DRAMデバイス周囲に分配 5 x 10uF (0603)
VPP 各x16 DRAMデバイスの近くに2つ 10 x 1uF (0402)
DRAMデバイス周囲に分配 3 x 10uF (0603)
VTT Rtt (終端抵抗) の近くに配置 8 x 1uF (0402)
Rtt (終端抵抗) の近くに配置 2 x 10uF (0603)