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1. 外部メモリー・インターフェイス・インテル® Agilex™ FPGA IPについて
2. インテルAgilex™ FPGA EMIF IP – 概要
3. インテルAgilex FPGA EMIF IP – 製品アーキテクチャー
4. インテルAgilex FPGA EMIF IP – エンドユーザーの信号
5. インテルAgilex FPGA EMIF IP – メモリーIPのシミュレーション
6. インテルAgilex FPGA EMIF IP – DDR4のサポート
7. インテルAgilex FPGA EMIF IP – QDR-IVのサポート
8. インテルAgilex FPGA EMIF IP – タイミング・クロージャー
9. インテルAgilex FPGA EMIF IP – I/Oのタイミング・クロージャー
10. インテルAgilex FPGA EMIF IP – コントローラーの最適化
11. インテルAgilex FPGA EMIF IP – デバッグ
12. 外部メモリー・インターフェイス・インテルAgilex FPGA IPユーザーガイド・アーカイブ
13. 外部メモリー・インターフェイス・インテルAgilex FPGA IPユーザーガイドの改訂履歴
3.1.1. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oサブシステム
3.1.2. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/O SSM
3.1.3. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oバンク
3.1.4. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oレーン
3.1.5. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: 入力DQSクロックツリー
3.1.6. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: PHYクロックツリー
3.1.7. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: PLLリファレンス・クロック・ネットワーク
3.1.8. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: クロックの位相アライメント
4.1.1.1. DDR4のlocal_reset_req
4.1.1.2. DDR4のlocal_reset_status
4.1.1.3. DDR4のpll_ref_clk
4.1.1.4. DDR4のpll_locked
4.1.1.5. DDR4のac_parity_err
4.1.1.6. DDR4のoct
4.1.1.7. DDR4のmem
4.1.1.8. DDR4のstatus
4.1.1.9. DDR4のafi_reset_n
4.1.1.10. DDR4のafi_clk
4.1.1.11. DDR4のafi_half_clk
4.1.1.12. DDR4のafi
4.1.1.13. DDR4のemif_usr_reset_n
4.1.1.14. DDR4のemif_usr_clk
4.1.1.15. DDR4のctrl_amm
4.1.1.16. DDR4のctrl_amm_aux
4.1.1.17. DDR4のctrl_auto_precharge
4.1.1.18. DDR4のctrl_user_priority
4.1.1.19. DDR4のctrl_ecc_user_interrupt
4.1.1.20. DDR4のctrl_ecc_readdataerror
4.1.1.21. DDR4のctrl_ecc_status
4.1.1.22. DDR4のctrl_mmr_slave
4.1.1.23. DDR4のhps_emif
4.1.1.24. DDR4のemif_calbus
4.1.1.25. DDR4のemif_calbus_clk
4.1.2.1. QDR-IVのlocal_reset_req
4.1.2.2. QDR-IVのlocal_reset_status
4.1.2.3. QDR-IVのpll_ref_clk
4.1.2.4. QDR-IVのpll_locked
4.1.2.5. QDR-IVのoct
4.1.2.6. QDR-IVのmem
4.1.2.7. QDR-IVのstatus
4.1.2.8. QDR-IVのafi_reset_n
4.1.2.9. QDR-IVのafi_clk
4.1.2.10. QDR-IVのafi_half_clk
4.1.2.11. QDR-IVのafi
4.1.2.12. QDR-IVのemif_usr_reset_n
4.1.2.13. QDR-IVのemif_usr_clk
4.1.2.14. QDR-IVのctrl_amm
4.1.2.15. QDR-IVのemif_calbus
4.1.2.16. QDR-IVのemif_calbus_clk
4.2.1. ctrlcfg0
4.2.2. ctrlcfg1
4.2.3. dramtiming0
4.2.4. sbcfg1
4.2.5. caltiming0
4.2.6. caltiming1
4.2.7. caltiming2
4.2.8. caltiming3
4.2.9. caltiming4
4.2.10. caltiming9
4.2.11. dramaddrw
4.2.12. sideband0
4.2.13. sideband1
4.2.14. sideband4
4.2.15. sideband6
4.2.16. sideband7
4.2.17. sideband9
4.2.18. sideband11
4.2.19. sideband12
4.2.20. sideband13
4.2.21. sideband14
4.2.22. dramsts
4.2.23. niosreserve0
4.2.24. niosreserve1
4.2.25. sideband16
4.2.26. ecc3: ECCエラーおよび割り込みのコンフィグレーション
4.2.27. ecc4: ステータスとエラー情報
4.2.28. ecc5: 最新のSBEまたはDBEのアドレス
4.2.29. ecc6: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレス
4.2.30. ecc7: 最新のSBEまたはDBEのアドレスの拡張
4.2.31. ecc8: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレスの拡張
6.1.1. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: General
6.1.2. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Memory
6.1.3. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem I/O
6.1.4. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: FPGA I/O
6.1.5. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem Timing
6.1.6. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Controller
6.1.7. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Diagnostics
6.1.8. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Example Designs
7.1.1. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: General
7.1.2. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Memory
7.1.3. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: FPGA I/O
7.1.4. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Mem Timing
7.1.5. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Controller
7.1.6. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Diagnostics
7.1.7. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Example Designs
11.1. インターフェイスのコンフィグレーションにおける性能の問題
11.2. 機能的な問題の評価
11.3. タイミング問題の特性
11.4. Signal Tapロジック・アナライザーでのメモリーIPの検証
11.5. ハードウェアのデバッグ・ガイドライン
11.6. ハードウェアの問題の分類
11.7. 外部メモリー・インターフェイス・デバッグ・ツールキットを使用したデバッグ
11.8. デフォルトのトラフィック・ジェネレーターの使用
11.9. コンフィグレーション可能なトラフィック・ジェネレーター (TG2) の使用
11.10. EMIFオンチップ・デバッグ・ポート
11.11. Efficiency Monitor
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7.4.3.3. QDR-IVのコンフィグレーションにおける電力供給に関する推奨事項
この項では、QDR-IVのコンフィグレーションにおける電源供給ネットワーク (PDN) のデザイン・ガイドラインについて説明します。
注: FPGAにおけるタイミングマージンを満たす電源供給ネットワークのデザインに関しては、AG014 PDNデザイン・ガイドラインを参照してください。
デカップリング・コンデンサーの数は、単一のチャネルに基づいています。複数のチャネルが同じ電源レールを共有している場合は、メモリーのデカップリング・コンデンサーの数をすべてのチャネルに応じてスケーリングする必要があります。
プリント回路基板のPDNパスの面積、インダクタンス、および抵抗を最小限に抑えるには、物理的に小さいデカップリング・コンデンサーが推奨されます。
次の内容は、QDR-IVメモリーの電力供給設計に推奨されるガイドラインです。
- 0.1uFを0402サイズで使用し、インダクタンスを最小限に抑えます。
- VTT電圧デカップリングを終端抵抗の付近に配置します。
- メモリーデバイスでデカップリング・コンデンサーをVTT とグランド間に接続します。
- 0.1uFコンデンサーを1つおきのVTTピンに使用し、0.01uFキャップをすべてのVDDとVDDQピンに使用します。