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1. 外部メモリー・インターフェイス・インテル® Agilex™ FPGA IPについて
2. インテルAgilex™ FPGA EMIF IP – 概要
3. インテルAgilex FPGA EMIF IP – 製品アーキテクチャー
4. インテルAgilex FPGA EMIF IP – エンドユーザーの信号
5. インテルAgilex FPGA EMIF IP – メモリーIPのシミュレーション
6. インテルAgilex FPGA EMIF IP – DDR4のサポート
7. インテルAgilex FPGA EMIF IP – QDR-IVのサポート
8. インテルAgilex FPGA EMIF IP – タイミング・クロージャー
9. インテルAgilex FPGA EMIF IP – I/Oのタイミング・クロージャー
10. インテルAgilex FPGA EMIF IP – コントローラーの最適化
11. インテルAgilex FPGA EMIF IP – デバッグ
12. 外部メモリー・インターフェイス・インテルAgilex FPGA IPユーザーガイド・アーカイブ
13. 外部メモリー・インターフェイス・インテルAgilex FPGA IPユーザーガイドの改訂履歴
3.1.1. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oサブシステム
3.1.2. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/O SSM
3.1.3. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oバンク
3.1.4. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: I/Oレーン
3.1.5. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: 入力DQSクロックツリー
3.1.6. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: PHYクロックツリー
3.1.7. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: PLLリファレンス・クロック・ネットワーク
3.1.8. インテルAgilex EMIFのアーキテクチャー: クロックの位相アライメント
4.1.1.1. DDR4のlocal_reset_req
4.1.1.2. DDR4のlocal_reset_status
4.1.1.3. DDR4のpll_ref_clk
4.1.1.4. DDR4のpll_locked
4.1.1.5. DDR4のac_parity_err
4.1.1.6. DDR4のoct
4.1.1.7. DDR4のmem
4.1.1.8. DDR4のstatus
4.1.1.9. DDR4のafi_reset_n
4.1.1.10. DDR4のafi_clk
4.1.1.11. DDR4のafi_half_clk
4.1.1.12. DDR4のafi
4.1.1.13. DDR4のemif_usr_reset_n
4.1.1.14. DDR4のemif_usr_clk
4.1.1.15. DDR4のctrl_amm
4.1.1.16. DDR4のctrl_amm_aux
4.1.1.17. DDR4のctrl_auto_precharge
4.1.1.18. DDR4のctrl_user_priority
4.1.1.19. DDR4のctrl_ecc_user_interrupt
4.1.1.20. DDR4のctrl_ecc_readdataerror
4.1.1.21. DDR4のctrl_ecc_status
4.1.1.22. DDR4のctrl_mmr_slave
4.1.1.23. DDR4のhps_emif
4.1.1.24. DDR4のemif_calbus
4.1.1.25. DDR4のemif_calbus_clk
4.1.2.1. QDR-IVのlocal_reset_req
4.1.2.2. QDR-IVのlocal_reset_status
4.1.2.3. QDR-IVのpll_ref_clk
4.1.2.4. QDR-IVのpll_locked
4.1.2.5. QDR-IVのoct
4.1.2.6. QDR-IVのmem
4.1.2.7. QDR-IVのstatus
4.1.2.8. QDR-IVのafi_reset_n
4.1.2.9. QDR-IVのafi_clk
4.1.2.10. QDR-IVのafi_half_clk
4.1.2.11. QDR-IVのafi
4.1.2.12. QDR-IVのemif_usr_reset_n
4.1.2.13. QDR-IVのemif_usr_clk
4.1.2.14. QDR-IVのctrl_amm
4.1.2.15. QDR-IVのemif_calbus
4.1.2.16. QDR-IVのemif_calbus_clk
4.2.1. ctrlcfg0
4.2.2. ctrlcfg1
4.2.3. dramtiming0
4.2.4. sbcfg1
4.2.5. caltiming0
4.2.6. caltiming1
4.2.7. caltiming2
4.2.8. caltiming3
4.2.9. caltiming4
4.2.10. caltiming9
4.2.11. dramaddrw
4.2.12. sideband0
4.2.13. sideband1
4.2.14. sideband4
4.2.15. sideband6
4.2.16. sideband7
4.2.17. sideband9
4.2.18. sideband11
4.2.19. sideband12
4.2.20. sideband13
4.2.21. sideband14
4.2.22. dramsts
4.2.23. niosreserve0
4.2.24. niosreserve1
4.2.25. sideband16
4.2.26. ecc3: ECCエラーおよび割り込みのコンフィグレーション
4.2.27. ecc4: ステータスとエラー情報
4.2.28. ecc5: 最新のSBEまたはDBEのアドレス
4.2.29. ecc6: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレス
4.2.30. ecc7: 最新のSBEまたはDBEのアドレスの拡張
4.2.31. ecc8: 最新のドロップされた訂正コマンドのアドレスの拡張
6.1.1. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: General
6.1.2. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Memory
6.1.3. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem I/O
6.1.4. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: FPGA I/O
6.1.5. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Mem Timing
6.1.6. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Controller
6.1.7. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Diagnostics
6.1.8. インテルAgilex EMIF IPにおけるDDR4のパラメーター: Example Designs
7.1.1. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: General
7.1.2. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Memory
7.1.3. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: FPGA I/O
7.1.4. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Mem Timing
7.1.5. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Controller
7.1.6. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Diagnostics
7.1.7. インテルAgilex EMIF IPにおけるQDR-IVのパラメーター: Example Designs
11.1. インターフェイスのコンフィグレーションにおける性能の問題
11.2. 機能的な問題の評価
11.3. タイミング問題の特性
11.4. Signal Tapロジック・アナライザーでのメモリーIPの検証
11.5. ハードウェアのデバッグ・ガイドライン
11.6. ハードウェアの問題の分類
11.7. 外部メモリー・インターフェイス・デバッグ・ツールキットを使用したデバッグ
11.8. デフォルトのトラフィック・ジェネレーターの使用
11.9. コンフィグレーション可能なトラフィック・ジェネレーター (TG2) の使用
11.10. EMIFオンチップ・デバッグ・ポート
11.11. Efficiency Monitor
10.1. インターフェイス規格
特定のインターフェイス規格の仕様に準拠することは、コントローラーの効率に影響します。
メモリーデバイスをメモリー・コントローラーにインターフェイス接続する際は、タイミングの仕様に従い、次のバンク管理操作を実行する必要があります。
- アクティブ化
SDRAMデバイス内のバンクに読み出し (RD) または書き込み (WR) コマンドを発行する前に、アクティブ化 (ACT) コマンドを使用してそのバンクの行を開く必要があります。行を開くと、tRCDの仕様に基づき読み出しまたは書き込みコマンドをその行に発行することができます。閉じた行への読み出しまたは書き込みは、最初にコントローラーでその行をアクティブにし、tRCD時間を待機してから読み出しまたは書き込みを実行する必要があるため、効率に悪影響をおよぼします。
- プリチャージ
同じバンク内の別の行を開くには、プリチャージ・コマンドを発行する必要があります。プリチャージ・コマンドは、特定のバンクの開いている行またはすべてのバンクの開いている行を非アクティブにします。行の切り替えは、開いている行を最初にプリチャージしてから次の行をアクティブにし、tRCD時間を待機してからその行に対する読み出しまたは書き込み動作を実行する必要があるため、効率に悪影響をおよぼします。
- デバイスのCASレイテンシー
メモリーデバイスには独自の読み出しレイテンシーがあり、CASレイテンシーが大きいほど、個々のアクセスの効率は低下します。動作周波数が高いほど、CASレイテンシーはサイクル数で長くなります。
- リフレッシュ
リフレッシュはサイクルで考えると、プリチャージ・コマンドと自動リフレッシュの待機期間で構成されます。