インテルのみ表示可能 — GUID: mwh1409959657340
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1.4.1.1. 同期メモリーブロックの使用
1.4.1.2. サポートされないリセットおよびコントロール条件の回避
1.4.1.3. Read-During-Write動作の確認
1.4.1.4. RAMの推論と実装の制御
1.4.1.5. シングルクロック同期RAM (古いデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.6. シングルクロック同期RAM (新しいデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.7. シンプル・デュアルポート、デュアルクロック同期RAM
1.4.1.8. トゥルー・デュアルポート同期RAM
1.4.1.9. 混合幅デュアルポートRAM
1.4.1.10. バイト・イネーブル信号を備えるRAM
1.4.1.11. 電源投入時の初期のメモリーコンテンツの指定
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3.2.1.1.1. デザインの標準的なMTBFとワーストケースのMTBF
MTBF概要レポートは、完全に特性化されているサポートデバイスの Typical MTBF of Design (標準的なMTBF) と Worst-Case MTBF of Design (ワーストケースのMTBF) を示します。 標準的なMTBF結果は、選択しているデバイス・スピード・ グレードの公称シリコン特性として定義されている標準的な条件、および公称動作条件を想定したものです。ワーストケースのMTBF結果は、選択しているデバイス・スピード・グレードのワーストケースのシリコン特性を使用しています。
タイミング・アナライザーで複数のタイミングコーナーを解析すると、MTBFの計算が異なる場合があります。これは、動作条件、タイミングスラックまたは利用可能なメタスタビリティー・セトリングタイムの変化によって生じるものです。インテルでは、マルチコーナー・タイミング解析を実行し、ワーストケースのMTBFの解析を確実に行えるようにすることを推奨しています。MTBFのワースト・タイミング・コーナーとタイミング・パフォーマンスのワースト・コーナーは、かならずしも一致するとは限りません。
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