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1.4.1.1. 同期メモリーブロックの使用
1.4.1.2. サポートされないリセットおよびコントロール条件の回避
1.4.1.3. Read-During-Write動作の確認
1.4.1.4. RAMの推論と実装の制御
1.4.1.5. シングルクロック同期RAM (古いデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.6. シングルクロック同期RAM (新しいデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.7. シンプル・デュアルポート、デュアルクロック同期RAM
1.4.1.8. トゥルー・デュアルポート同期RAM
1.4.1.9. 混合幅デュアルポートRAM
1.4.1.10. バイト・イネーブル信号を備えるRAM
1.4.1.11. 電源投入時の初期のメモリーコンテンツの指定
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1.6.1. トライステート信号
トライステート信号の使用は、最上位の双方向ピンまたは出力ピンに接続する場合に限ります。
下位レベルの双方向ピンは避けてください。また、出力ピンまたは双方向ピンを駆動する場合を除き、Z ロジック値の使用を避けるようにします。一部の合成ツールでは、マルチプレクサー・ロジックを使用して内部トライステート信号を備えるデザインを正しくインテルFPGAデバイスに実装しますが、このコーディング・スタイルをインテルFPGAデザインに使用しないでください。
注: 階層ブロックベースのデザインフローでは、下位レベルの双方向ポートが他のデザインロジックに接続されることなく階層を介して最上位レベルの出力ピンに直接接続されていない限り、階層境界に双方向ポートを含めることはできません。下位ブロックで境界トライステートを使用する場合は、合成ソフトウェアでトライステートを階層を介して最上位にプッシュし、インテルFPGAデバイスの出力ピンのトライステート・ドライバーを使用する必要があります。トライステートのプッシュには階層を介した最適化が必要なため、ブロックベースのデザイン手法では下位レベルのトライステートは制限されます。