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1.4.1.1. 同期メモリーブロックの使用
1.4.1.2. サポートされないリセットおよびコントロール条件の回避
1.4.1.3. Read-During-Write動作の確認
1.4.1.4. RAMの推論と実装の制御
1.4.1.5. シングルクロック同期RAM (古いデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.6. シングルクロック同期RAM (新しいデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.7. シンプル・デュアルポート、デュアルクロック同期RAM
1.4.1.8. トゥルー・デュアルポート同期RAM
1.4.1.9. 混合幅デュアルポートRAM
1.4.1.10. バイト・イネーブル信号を備えるRAM
1.4.1.11. 電源投入時の初期のメモリーコンテンツの指定
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2.3.4. 非同期レジスター・コントロール信号の回避
デザインのターゲット・デバイス・アーキテクチャーに非同期ロードの専用回路を備えるレジスターが含まれていない場合は、非同期ロード信号の使用を避けるようにします。また、アーキテクチャーで非同期クリアとプリセットのいずれかのみが提供される場合は、両方のコントロール信号を使用することがないようにします。
一部のインテルデバイスでは非同期クリア機能を直接サポートしますが、プリセット機能またはロード機能はサポートしません。ターゲットデバイスがこれらの信号を直接サポートしていない場合、合成または配置配線ソフトウェアでは組み合わせロジックを使用して同じ機能を実装する必要があります。さらに、デバイス・アーキテクチャー固有の優先順位とは異なる優先順位で信号を使用する場合は、組み合わせロジックを使用して必要なコントロール信号を実装することが必要になる場合があります。組み合わせロジックは効率が悪く、グリッチやその他の問題を引き起こす可能性があります。このような実装は避けることが最善です。