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1.4.1.1. 同期メモリーブロックの使用
1.4.1.2. サポートされないリセットおよびコントロール条件の回避
1.4.1.3. Read-During-Write動作の確認
1.4.1.4. RAMの推論と実装の制御
1.4.1.5. シングルクロック同期RAM (古いデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.6. シングルクロック同期RAM (新しいデータでのRead-During-Write動作)
1.4.1.7. シンプル・デュアルポート、デュアルクロック同期RAM
1.4.1.8. トゥルー・デュアルポート同期RAM
1.4.1.9. 混合幅デュアルポートRAM
1.4.1.10. バイト・イネーブル信号を備えるRAM
1.4.1.11. 電源投入時の初期のメモリーコンテンツの指定
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2.2.2.3. クロックパスでの遅延チェーンの回避
PLDデザインの遅延は、配置配線サイクルごとに変化する可能性があります。 立ち上がり時間と立ち下がり時間の差やオンチップのばらつきなどの影響により、遅延チェーン (特にクロックパスに配置されている遅延チェーン) がデザインに重大な問題を引き起こすことがあります。遅延チェーンの使用を避けることで、このような問題を防ぎます。
遅延チェーンが必要になるのは、単一のファンインと単一のファンアウトをもつ2つ以上の連続ノードを使用して遅延を引き起こす場合です。多くの場合、インバーターをチェーン接続することで遅延が追加されます。遅延チェーンは、他の非同期デザイン手法によって発生する競合状態の解決に使用されることもあります。
一部のASICデザインでは、信号がデバイス周囲にルーティングされる際に、遅延を使用して信号をバッファリングします。この機能はFPGAデバイスでは必要ありません。ルーティング構造によってデバイス全体でバッファーが提供されます。