インテル® Stratix® 10エンベデッド・メモリー ユーザーガイド

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ID 683423
日付 12/24/2018
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス 5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例 6. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド・アーカイブ 7. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド改訂履歴
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 x
1.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーの機能 1.2. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー容量
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイトイネーブル 2.2. アドレス・クロック・イネーブルのサポート 2.3. 非同期クリアと同期クリア 2.4. メモリーブロックの誤り訂正コードのサポート 2.5. Force-to-Zero 2.6. コヒーレント読み出しメモリー 2.7. フリーズロジック 2.8. トゥルー・デュアル・ポート・デュアル・クロック・エミュレーター 2.9. インテル® Stratix 10® でサポートされているエンベデッド・メモリーIPコア 2.10. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード 2.11. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション 2.12. 読み出しアドレスレジスターおよび書き込みアドレスレジスターの初期値
2.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイトイネーブル x
2.1.1. バイト・イネーブル・コントロール 2.1.2. データバイト出力 2.1.3. バイトイネーブルの動作
2.4. メモリーブロックの誤り訂正コードのサポート x
2.4.1. パリティービット 2.4.2. ECCのパリティーフリップ 2.4.3. ECC Read-During-Writeの動作 2.4.4. 誤り訂正コードの真理値表
2.6. コヒーレント読み出しメモリー x
2.6.1. ロジック転送
2.10. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード x
2.10.1. シングル・クロック・モード 2.10.2. 読み出し/書き込みクロックモード 2.10.3. 入力/出力クロックモード 2.10.4. クロッキング・モードにおける非同期/同期クリア 2.10.5. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.10.6. クロックモードにおける独立したクロックイネーブル
2.11. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション x
2.11.1. 混合幅ポートのコンフィグレーション
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 x
3.1. メモリーブロックの選択の考慮事項 3.2. 同時読み出し動作の考慮事項 3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ 3.4. パワーアップ状態およびメモリー初期化の考慮事項 3.5. 消費電力の削減
3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ x
3.3.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.3.2. 混合ポートRead-During-Writeモード
4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス x
4.1. On Chip Memory RAMおよびROM Intel FPGA IPコア 4.2. eSRAM Intel FPGA IP 4.3. FIFO Intel FPGA IP 4.4. FIFO2 Intel FPGA IP
4.1. On Chip Memory RAMおよびROM Intel FPGA IPコア x
4.1.1. RAM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.2. RAM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.3. RAM: 4-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.4. ROM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.5. ROM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.6. RAM および ROM インターフェイス信号 4.1.7. 手動によるパラメーター設定の変更
4.1.7. 手動によるパラメーター設定の変更 x
4.1.7.1. RAMおよびROMのパラメーター設定
4.2. eSRAM Intel FPGA IP x
4.2.1. eSRAMシステムの機能 4.2.2. eSRAM Intel FPGA IPのパラメーター 4.2.3. eSRAM Intel FPGA IPのインターフェイス信号 4.2.4. eSRAM Intel FPGA IPシミュレーション・ウォークスルー 4.2.5. eSRAMタイミング図
4.2.1. eSRAMシステムの機能 x
4.2.1.1. eSRAMの仕様 4.2.1.2. eSRAM使用モデル
4.3. FIFO Intel FPGA IP x
4.3.1. FIFO Intel FPGA IPパラメーター 4.3.2. リセット手法
4.4. FIFO2 Intel FPGA IP x
4.4.1. コンフィグレーション方法 4.4.2. Fmaxターゲット測定方法 4.4.3. パフォーマンスに関する考慮事項 4.4.4. FIFO2 Intel FPGA IPの機能 4.4.5. FIFO2 Intel FPGA IPパラメーター 4.4.6. FIFO2 Intel FPGA IPインターフェイス信号 4.4.7. リセットおよびクロックの手法
4.4.4. FIFO2 Intel FPGA IPの機能 x
4.4.4.1. FIFO2の仕様
4.4.5. FIFO2 Intel FPGA IPパラメーター x
4.4.5.1. FIFO2パラメーターの設定
4.4.6. FIFO2 Intel FPGA IPインターフェイス信号 x
4.4.6.1. SCFIFO信号 4.4.6.2. DCFIFO信号
4.4.7. リセットおよびクロックの手法 x
4.4.7.1. クロックドメイン 4.4.7.2. リセット
4.4.7.2. リセット x
4.4.7.2.1. FIFO2 Intel FPGA IPリセットのガイドライン
5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例 x
5.1. FIFOおよびFIFO2のデザイン例
5.1. FIFOおよびFIFO2のデザイン例 x
5.1.1. デザイン例の生成 5.1.2. デザイン例のシミュレーション
5.1.2. デザイン例のシミュレーション x
5.1.2.1. シミュレーション結果
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項
4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス
5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例
6. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド・アーカイブ
7. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド改訂履歴

4.2.1. eSRAMシステムの機能

eSRAMシステムで提供される機能は、同時読み出し/書き込み要求処理、データの整合性および一貫性の確保、電力効率の最大化です。

所与のeSRAMシステムでは、750 MHzの最大周波数を達成することができます。使用可能なeSRAMシステムの数は、使用中の インテル® Stratix 10® デバイスにより異なります。

eSRAMシステム内の各メモリーチャネルには書き込みポート1つと読み出しポート1つがあり、それによって同時読み出し/書き込み要求の処理がされます。各チャネルからアクセスするのはそれぞれのバンクに対してのみなので、各チャネルは隣接するチャネルから独立していることが保証されます。

eSRAMシステムの誤り訂正コード (ECC) を有効にすると、ユーザーがアクセスできるデータ容量が犠牲になります。ECCによるデータ整合性の向上には、書き込みデータのエンコードを拡張Hammingコードを使用して行い、読み出しデータのデコードをSingle-bit Error Correction, Double-bit Error Detection (SECDED) に対して行います。書き込みレイテンシーと読み出しレイテンシーは、ECCが有効か無効かにかかわらず同じです。

データ・コヒーレンシ機能はWrite Forwardingと呼ばれ、これを使用すると、同時書き込み/読み出しアクセス処理を同じeSRAMメモリー位置に対して行うことができます。書き込みポートの書き込みデータは読み出しポートに転送され、ターゲットSRAMバンクからは読み出されません。書き込みデータはターゲットのeSRAMバンクに書き込まれます。

低電力モードでは、静的電力の節約が1クロックサイクルのコストでできます。また、各チャネルによる未使用バンクのパワーダウンによって、電力をさらに節約できます。

eSRAMシステムに含まれるPLLでは、eSRAM動作に必要なクロックドメインをネイティブ駆動します。

レベル 2 の表題