インテル® Stratix® 10エンベデッド・メモリー ユーザーガイド

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ID 683423
日付 12/24/2018
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス 5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例 6. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド・アーカイブ 7. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド改訂履歴
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 x
1.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーの機能 1.2. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー容量
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイトイネーブル 2.2. アドレス・クロック・イネーブルのサポート 2.3. 非同期クリアと同期クリア 2.4. メモリーブロックの誤り訂正コードのサポート 2.5. Force-to-Zero 2.6. コヒーレント読み出しメモリー 2.7. フリーズロジック 2.8. トゥルー・デュアル・ポート・デュアル・クロック・エミュレーター 2.9. インテル® Stratix 10® でサポートされているエンベデッド・メモリーIPコア 2.10. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード 2.11. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション 2.12. 読み出しアドレスレジスターおよび書き込みアドレスレジスターの初期値
2.1. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイトイネーブル x
2.1.1. バイト・イネーブル・コントロール 2.1.2. データバイト出力 2.1.3. バイトイネーブルの動作
2.4. メモリーブロックの誤り訂正コードのサポート x
2.4.1. パリティービット 2.4.2. ECCのパリティーフリップ 2.4.3. ECC Read-During-Writeの動作 2.4.4. 誤り訂正コードの真理値表
2.6. コヒーレント読み出しメモリー x
2.6.1. ロジック転送
2.10. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード x
2.10.1. シングル・クロック・モード 2.10.2. 読み出し/書き込みクロックモード 2.10.3. 入力/出力クロックモード 2.10.4. クロッキング・モードにおける非同期/同期クリア 2.10.5. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.10.6. クロックモードにおける独立したクロックイネーブル
2.11. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーのコンフィグレーション x
2.11.1. 混合幅ポートのコンフィグレーション
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 x
3.1. メモリーブロックの選択の考慮事項 3.2. 同時読み出し動作の考慮事項 3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ 3.4. パワーアップ状態およびメモリー初期化の考慮事項 3.5. 消費電力の削減
3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ x
3.3.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.3.2. 混合ポートRead-During-Writeモード
4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス x
4.1. On Chip Memory RAMおよびROM Intel FPGA IPコア 4.2. eSRAM Intel FPGA IP 4.3. FIFO Intel FPGA IP 4.4. FIFO2 Intel FPGA IP
4.1. On Chip Memory RAMおよびROM Intel FPGA IPコア x
4.1.1. RAM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.2. RAM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.3. RAM: 4-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.4. ROM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.5. ROM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.6. RAM および ROM インターフェイス信号 4.1.7. 手動によるパラメーター設定の変更
4.1.7. 手動によるパラメーター設定の変更 x
4.1.7.1. RAMおよびROMのパラメーター設定
4.2. eSRAM Intel FPGA IP x
4.2.1. eSRAMシステムの機能 4.2.2. eSRAM Intel FPGA IPのパラメーター 4.2.3. eSRAM Intel FPGA IPのインターフェイス信号 4.2.4. eSRAM Intel FPGA IPシミュレーション・ウォークスルー 4.2.5. eSRAMタイミング図
4.2.1. eSRAMシステムの機能 x
4.2.1.1. eSRAMの仕様 4.2.1.2. eSRAM使用モデル
4.3. FIFO Intel FPGA IP x
4.3.1. FIFO Intel FPGA IPパラメーター 4.3.2. リセット手法
4.4. FIFO2 Intel FPGA IP x
4.4.1. コンフィグレーション方法 4.4.2. Fmaxターゲット測定方法 4.4.3. パフォーマンスに関する考慮事項 4.4.4. FIFO2 Intel FPGA IPの機能 4.4.5. FIFO2 Intel FPGA IPパラメーター 4.4.6. FIFO2 Intel FPGA IPインターフェイス信号 4.4.7. リセットおよびクロックの手法
4.4.4. FIFO2 Intel FPGA IPの機能 x
4.4.4.1. FIFO2の仕様
4.4.5. FIFO2 Intel FPGA IPパラメーター x
4.4.5.1. FIFO2パラメーターの設定
4.4.6. FIFO2 Intel FPGA IPインターフェイス信号 x
4.4.6.1. SCFIFO信号 4.4.6.2. DCFIFO信号
4.4.7. リセットおよびクロックの手法 x
4.4.7.1. クロックドメイン 4.4.7.2. リセット
4.4.7.2. リセット x
4.4.7.2.1. FIFO2 Intel FPGA IPリセットのガイドライン
5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例 x
5.1. FIFOおよびFIFO2のデザイン例
5.1. FIFOおよびFIFO2のデザイン例 x
5.1.1. デザイン例の生成 5.1.2. デザイン例のシミュレーション
5.1.2. デザイン例のシミュレーション x
5.1.2.1. シミュレーション結果
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項
4. インテル® Stratix 10® エンベデッド・メモリーIPコアのリファレンス
5. Stratix 10エンベデッド・メモリーのデザイン例
6. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド・アーカイブ
7. インテル® Stratix® 10 エンベデッド・メモリー ユーザーガイド改訂履歴

4.2.1.1. eSRAMの仕様

次の表ではeSRAM Intel FPGA IPコアの仕様をまとめています。
表 27.  eSRAMの仕様
機能 詳細 値 詳細
クロック周波数5

-1

-2

-3

200 MHz - 750 MHz

200 MHz - 640 MHz

200 MHz - 500 MHz 6
—
バンク容量

ECCなし

DPAあり

144 Kb

128 Kb

 各バンクは (2048) 2K x 72ビットです
チャンネルあたりのバンク — 42 —
チャネル容量

ECCなし

DPAあり

5.90625 Mb

5.25 Mb

 —
eSRAMあたりのチャネル — 8 —
eSRAM容量

ECCなし

DPAあり

47.25 Mb

42 Mb

 —
インターフェイス・データ幅

ECCなし

DPAあり

x72

x64

 最大幅
読み出しレイテンシー7

Normal

Low Power

10 +2 8

11 + 2

8 		このレイテンシーは、ECCが有効か無効かにかかわらず固定です。
読み出しレイテンシー — 0 +1 fn_latency9 書き込みコマンドのゼロ・サイクル・レイテンシーがSRAMに対して発行されます。
電力 (eSRAMシステムあたり)

工業用

拡張

1.15 W - 1.5 W

2.28 W - 3.31 W

 Low PowerモードからNormalモードへ。
5 eSRAMの入力クロックソースは、ピークツーピークで20 ps、つまり1e-12 BERで1.42 ps RMS、1e-16 BERで1.22 psを超えてはなりません。
6 Speed Grade 3デバイスでは、次のクロック周波数はサポートされていません。
  • 466.51 MHz - 499.99 MHz
  • 233.26 MHz - 249.99 MHz
7 読み出しレイテンシーの測定は、インターフェイスに送信される読み出しコマンドから、戻される有効な読み出しデータまでです。
8 +2が読み出しレイテンシーに追加されます。eSRAMとインターフェイス接続するレジスターで配線およびタイミングの要件を満たすことが必要なためです。
9 +1が読み出しレイテンシーに追加されます。eSRAMとインターフェイス接続するレジスターで配線およびタイミングの要件を満たすことが必要なためです。
レベル 2 の表題