インテルのみ表示可能 — GUID: mwh1409959567799
Ixiasoft
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2.5. 組み込みRAMの実装
シングルまたはデュアルクロック方式でシングルポート、デュアルポート、または3ポートRAMを使用できます。非同期メモリーロジックをメモリーブロックとして推論したり、非同期メモリーロジックを専用メモリーブロックに配置したりせず、通常のロジックセルに非同期メモリロジックを実装する必要があります。
Intelメモリーブロックは、ターゲットとするバイスファミリー、メモリーモード、ブロックタイプに応じて、read-during-write動作が異なります。Read-during-write動作とは、同じクロックサイクルで同じメモリードレスからリードおよびライトを行うことです。たとえば、同じクロックサイクルで書き込み先と同じアドレスから読み出します。
Read-during-write動作を使用する場合、HDLコードでメモリーを指定する方法を確認する必要があります。リードを記述するHDLコードは、メモリー・ロケーションに保存されている古いデータ、またはメモリー・ロケーションに書き込まれている新しいデータを返します。
場合によっては、デバイス・アーキテクチャーがHDLコードで説明されているメモリ動作を実装できない場合、メモリーブロックが専用RAMブロックにマップされないか、メモリーロックが専用RAMブロックに加えて追加のロジックを使用して実装されます。この余分なロジック実装を回避するために、Arria GXデバイスおよびCycloneおよびStratixシリーズのデバイスでシングルポートRAMを使用して、書き込み中の読み取り動作を実装します。
多くの合成ツールでは、read-during-write動作がデザインにとって重要でないことを指定できます。たとえば、同じクロックサイクルで同じアドレスからのリードおよびライトを行わない場合。