インテル® Stratix® 10 デバイス・データシート

ダウンロード PDF
ID 683181
日付 8/04/2017
Public
ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
Stratix® 10 デバイス・データシート
Stratix® 10 デバイス・データシート x
電気的特性 スイッチング特性 コンフィグレーションの仕様 I/Oタイミング 用語集 1.6. 改訂履歴
電気的特性 x
動作条件
動作条件 x
絶対最大定格 最大許容オーバーシュート/アンダーシュート電圧 推奨動作条件 DC特性 I/O規格の仕様
推奨動作条件 x
推奨動作条件 トランシーバー電源の動作条件 HPS電源の動作条件
DC特性 x
供給電流と消費電力 I/Oピンのリーク電流 バスホールド特性 OCTキャリブレーション精度の仕様 キャリブレーションなしOCTの抵抗許容差の仕様 内部ウィークプルアップ抵抗
I/O規格の仕様 x
シングルエンドI/O規格の仕様 シングルエンドSSTLおよびHSTL I/Oリファレンス電圧の仕様 シングルエンドSSTL、HSTL、およびHSUL I/O規格の信号の仕様 SSTL差動I/O規格の仕様 差動HSTL I/Oおよび差動HSUL I/O規格の仕様 差動I/O規格の仕様
スイッチング特性 x
Lタイル・トランシーバー性能の仕様 Hタイル・トランシーバー性能の仕様 Eタイル・トランシーバー性能の仕様 コア性能の仕様 ペリフェラル性能の仕様 HPS性能の仕様– 暫定版
Lタイル・トランシーバー性能の仕様 x
Stratix® 10 GX/SXデバイスLタイルのトランシーバー性能 Stratix® 10 GX/SXデバイスLタイルのトランシーバーの仕様
Hタイル・トランシーバー性能の仕様 x
Stratix® 10 GX/SXデバイスHタイルのトランシーバー性能 Stratix® 10 GX/SXデバイスHタイルのトランシーバーの仕様
Eタイル・トランシーバー性能の仕様 x
Stratix® 10 GX/SXデバイスEタイルのトランシーバー性能 トランシーバー・リファレンス・クロックの仕様 Stratix® 10 デバイスEタイルのトランスミッターの仕様 Stratix® 10 デバイスEタイルのレシーバーの仕様
コア性能の仕様 x
クロックツリーの仕様 PLLの仕様 DSPブロックの仕様 メモリーブロックの仕様 内部温度検知ダイオードの仕様 内部電圧センサーの仕様
PLLの仕様 x
fPLLの仕様 I/O PLLの仕様
ペリフェラル性能の仕様 x
高速I/Oの規格 DPAロック時間の仕様 LVDSソフトCDR/DPA正弦ジッター許容値の仕様 DLL範囲の仕様 1.2.5.5. DQSロジックブロックの仕様 メモリー出力クロックジッターの仕様 OCTキャリブレーション・ブロックの仕様
HPS性能の仕様– 暫定版 x
HPSクロックの性能– 暫定版 HPS PLLの仕様– 暫定版 HPS SPIのタイミング特性– 暫定版 HPS SD/MMCタイミングの特性 – 暫定版 HPS USB UPLIのタイミング特性 – 暫定版 HPS Ethernet Media Access Controller (EMAC) のタイミング特性– 暫定版 HPS I2Cのタイミング特性– 暫定版 HPS NANDのタイミング特性– 暫定版 HPSトレースタイミングの特性– 暫定版 HPS GPIOインターフェイス– 暫定版 HPS JTAGのタイミング特性– 暫定版 HPSプログラマブルI/Oのタイミング特性– 暫定版
HPS PLLの仕様– 暫定版 x
HPS PLL入力の要件– 暫定版 HPS PLLの性能– 暫定版
コンフィグレーションの仕様 x
PORの仕様 外部コンフィグレーション・クロック・ソースの要件 JTAGコンフィグレーション・タイミング ASコンフィグレーション・タイミング Avalon–STのコンフィグレーション・タイミング 1.3.6. NANDコンフィグレーション・タイミング 1.3.7. SD/MMCコンフィグレーション・タイミング 1.3.8. 初期化 コンフィグレーション・ビット・ストリームのサイズ 1.3.10. 最小コンフィグレーション時間の見積もり
Stratix® 10 デバイス・データシート

最大許容オーバーシュート/アンダーシュート電圧

遷移中は、入力信号が次の表に示す電圧までオーバーシュートする場合があり、また、100 mA未満かつ周期が20 ns未満の入力電流に対しては、–2.0 Vまでアンダーシュートする場合があります。

許容されるオーバーシュートの長さは、デバイス寿命におけるHighタイムのパーセンテージとして指定されています。DC信号は、100%のデューティーサイクルに相当します。

たとえば、LVDS I/Oで2.70Vにオーバシュートする信号であれば、デバイスの寿命期間中は、~4%に対して2.70Vとなります。

表 3.   Stratix® 10 デバイスで遷移中に許容される最大オーバーシュート — 暫定版この表には、許容される入力オーバーシュート電圧の最大値とデバイスの寿命に対するパーセンテージでオーバーシュート電圧の持続時間が記載されています。LVDSのI/O値は、VREFP_ADCおよびVREFN_ADC I/Oピンに適用可能です。
シンボル 説明 条件 (V) TJ における%としてのオーバーシュートの期間 = 100°C 単位
LVDS I/O 2 3 V I/O
Vi (AC) AC入力電圧 2.50 3.80 100 %
2.55 3.85 42 %
2.60 3.90 18 %
2.65 3.95 9 %
2.70 4.00 4 %
> 2.70 > 4.00 オーバーシュートは許容されません。 %
2 LVDS I/Oの値は、専用I/Oとデュアル・コンフィグレーションI/Oのすべてに適用可能です。
レベル 2 の表題