MAX 10外部メモリ・インタフェース・ユーザーガイド

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ID 683087
日付 2/21/2017
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. MAX® 10外部メモリ・インタフェースの概要 2. MAX® 10外部メモリ・インタフェースのアーキテクチャと機能 3. MAX® 10外部メモリ·インタフェースの設計上の考慮事項 4. MAX® 10外部メモリ・インタフェース実装ガイド 5. MAX® 10のUniPHY IPコア・リファレンス A. MAX 10 外部メモリ・インタフェース・ユーザーガイドのアーカイブ 7. MAX® 10外部メモリ・インタフェース・ユーザー・ガイドの追加情報
1. MAX® 10外部メモリ・インタフェースの概要 x
1.1. MAX® 10外部メモリ・インタフェースのサポートと性能
2. MAX® 10外部メモリ・インタフェースのアーキテクチャと機能 x
2.1. MAX® 10外部メモリー・インターフェイスのI/Oバンク 2.2. MAX® 10 DQ/DQSグループ 2.3. MAX® 10 外部メモリ・インタフェースの最大幅 2.4. MAX 10メモリ・コントローラ 2.5. MAX® 10外部メモリ・リード・データパス 2.6. MAX® 10 外部メモリ・ライト・データパス 2.7. MAX® 10アドレス/コマンド・パス 2.8. MAX® 10PHYクロック（PHYCLK）ネットワーク 2.9. VTトラッキングの位相検出器 2.10. オンチップ直列終端 2.11. フェーズ・ロック・ループ 2.12. MAX® 10の低消費電力機能
2.5. MAX® 10外部メモリ・リード・データパス x
2.5.1. DDR入力レジスタ
2.6. MAX® 10 外部メモリ・ライト・データパス x
2.6.1. DDR出力レジスタ
3. MAX® 10外部メモリ·インタフェースの設計上の考慮事項 x
3.1. MAX® 10のクロッキングおよびPLLデザイン検討事項 3.2. LPDDR2デザインの検討事項 3.3. ガイドライン： MAX® 10 DDR3、DDR2、およびLPDDR2における外部メモリ・インタフェースI/Oの制限 3.4. ガイドライン: DDR2、DDR3、およびLPDDR2に対する MAX® 10のボードデザイン要件 3.5. ガイドライン： MAX® 10のピン配置ファイルの読み方について
3.1. MAX® 10のクロッキングおよびPLLデザイン検討事項 x
3.1.1. DDR2/DDR3外部メモリ・インタフェース・ピン 3.1.2. MAX® 10デバイスで推奨されるDDR2/DDR3の終端方法
3.1.1. DDR2/DDR3外部メモリ・インタフェース・ピン x
3.1.1.1. MAX® 10データおよびデータ・クロック（ストローブ）ピン 3.1.1.2. データ・マスク・ピン 3.1.1.3. DDR2/DDR3誤り訂正コード・ピン 3.1.1.4. DDR2/DDR3のアドレス・ピンおよびコントロール/コマンド・ピン 3.1.1.5. メモリ・クロック・ピン
3.1.1.1. MAX® 10データおよびデータ・クロック（ストローブ）ピン x
3.1.1.1.1. DDR2/DDR3用の MAX® 10I/OバンクDQ/DQSのサポー​​ト
3.2. LPDDR2デザインの検討事項 x
3.2.1. LPDDR2外部メモリ・インタフェース・ピン 3.2.2. LPPDDR2電源変動の制約 3.2.3. MAX® 10デバイスで推奨されるLPDDR2の終端方法
3.2.1. LPDDR2外部メモリ・インタフェース・ピン x
3.2.1.1. MAX® 10データおよびデータ・クロック（ストローブ）ピン 3.2.1.2. データ・マスク・ピン 3.2.1.3. LPDDR2アドレス・ピンおよびコントロール/コマンド・ピン 3.2.1.4. メモリ・クロック・ピン
3.2.1.1. MAX® 10データおよびデータ・クロック（ストローブ）ピン x
3.2.1.1.1. LPDDR2用のI/OバンクのDQ/DQSサポート
4. MAX® 10外部メモリ・インタフェース実装ガイド x
4.1. UniPHY IPコア 4.2. LPDDR2外部メモリ・インタフェースの実装 4.3. DDR2およびDDR3外部メモリ・インタフェースの実装
4.2. LPDDR2外部メモリ・インタフェースの実装 x
4.2.1. サポートされているLPDDR2トポロジー
4.3. DDR2およびDDR3外部メモリ・インタフェースの実装 x
4.3.1. MAX® 10でサポートされているDDR2およびDDR3のトポロジー
5. MAX® 10のUniPHY IPコア・リファレンス x
5.1. MAX® 10のUniPHYパラメータ設定方法
5.1. MAX® 10のUniPHYパラメータ設定方法 x
5.1.1. UniPHYパラメータ—PHY設定 5.1.2. UniPHYパラメータ—メモリのパラメータ 5.1.3. UniPHYパラメータ—メモリのタイミング 5.1.4. UniPHYパラメータ－ボード設定 5.1.5. UniPHYパラメータ－コントローラの設定 5.1.6. UniPHYパラメータ－診断
7. MAX® 10外部メモリ・インタフェース・ユーザー・ガイドの追加情報 x
B.1. MAX® 10外部メモリ・インタフェース・ユーザー・ガイドの改訂履歴
1. MAX® 10外部メモリ・インタフェースの概要
2. MAX® 10外部メモリ・インタフェースのアーキテクチャと機能
3. MAX® 10外部メモリ·インタフェースの設計上の考慮事項
4. MAX® 10外部メモリ・インタフェース実装ガイド
5. MAX® 10のUniPHY IPコア・リファレンス
A. MAX 10 外部メモリ・インタフェース・ユーザーガイドのアーカイブ
7. MAX® 10外部メモリ・インタフェース・ユーザー・ガイドの追加情報

2.5. MAX® 10外部メモリ・リード・データパス

MAX® 10デバイスでは、メモリ・インタフェース・ソリューションはDQSストローブを使用する代わりに内部リード・キャプチャ・クロックを使用し、I/Oエレメントにおいてダブル・データ・レートI/O（DDIO）レジスタでデータを直接キャプチャします。
  • PLLはDRAMデバイスにメモリ・クロックを供給し、受信データ・ストリームに周波数ロックされるリード・キャプチャ・クロックを生成します。リード・キャプチャ・クロックと受信リード・データ・ストリームは、任意の位相関係にあります。
  • 最大のタイミング・マージンに対しては、キャリブレーション・シーケンスを使用し、リード・データ・アイの最適なサンプリング位置にリード・キャプチャ・クロックを配置します。
  • データは、I/Oペリフェラルに実装されたDDIOレジスタに直接キャプチャされます。
レベル 2 の表題