High Bandwidth Memory (HBM2) Interface Intel® FPGA IPユーザーガイド

ID 683189
日付 10/05/2020
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ドキュメント目次

2.2. HBM2 DRAMの構造

HBM DRAMは、複数のDRAMデバイスのスタックに対する高帯域幅動作用に最適化されています。このDRAMデバイスは、チャネル と呼ばれる複数の独立したインターフェイスにまたがっています。各DRAMスタックでは、最大8つのチャネルをサポートします。

次の図の例では、1つのスタックにDRAMダイが4つ含まれ、各ダイで2つのチャネルをサポートしています。各ダイによって容量とチャネルがスタックに追加され、最大で8つのチャネルが各スタックに提供されます。各チャネルには、DRAMバンクの独立したセットへのアクセスが用意されています。あるチャネルからの要求があっても、別のチャネルに付属するデータへのアクセスはできない場合があります。

図 2. 4つのDRAMダイから成る高帯域幅メモリースタック