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2.4.4. I/O消費電力のガイドライン
非終端I/O Standard
LVTTLやLVCMOSなどの非終端I/O Standardは、レールツーレールの出力振幅を持っています。出力ピンのロジックHighとロジックLow信号の電圧差は、VCCIO電源電圧に等しくなります。出力ピンの容量性負荷がわかっている場合、次の式によってI/Oバッファーで消費される動的電力が決まります。
- Fは出力遷移周波数です。
- Cはスイッチングされる総負荷容量です。
- VはVCCIO電源電圧に等しくなります。
トランジスター間ロジック (TTL) I/Oバッファーは、静的電力をほとんど消費しません。そのため、LVTTLまたはLVCMOS出力が消費する総電力は、負荷とスイッチング周波数に大きく依存します。
抵抗で終端処理されるI/O Standard
SSTLやHSTLのように抵抗で終端処理されるI/O Standardでは、出力負荷電圧はバイアス点を中心にわずかに振幅します。上記の動的消費電力の計算式は同様に有効ですが、Vは実際の負荷電圧振幅になります。この電圧はVCCIOよりもはるかに小さいため、同様の条件下において非終端I/Oと比較すると、動的消費電力は低くなります。
I/Oバッファーは抵抗で終端されるネットワークに常に電流を流しているため、抵抗で終端処理されたI/O Standardはかなりの静的 (周波数に依存しない) 電力を消費します。ただし、これらのI/O Standardの動的消費電力は少ないため、高周波アプリケーションでは多くの場合、LVCMOSやLVTTLよりも総消費電力が低くなります。ベスト・プラクティスとして、抵抗で終端処理をするStandardを使用する場合は、速度要件および波形要件を満たす必要最低限のドライブ強度のI/O設定を選択し、I/Oの消費電力を最小限に抑えます。
未使用のI/Oバンクを可能な限り低いVCCIO電圧に接続することで、少量の静的消費電力を削減することができます。