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定義
SSNの理解
ガイドライン: クロックと非同期制御入力信号
ガイドライン: データ入力ピン
ガイドライン: インテル® MAX® 10 E144パッケージのクロックおよびデータ入力信号
ガイドライン: I/Oの制約規則
ガイドライン: 1.0VのI/Oピンの配置制約
ガイドライン: アナログ/デジタル・コンバーターのI/O制約
ガイドライン: 電圧リファレンスのI/O規格に関する制約
ガイドライン: LVDSのI/O制約規則に対する準拠
ガイドライン: LVTTL/LVCMOS入力バッファーに対するクランプダイオードの有効化
ガイドライン: 外部メモリー・インターフェイスのI/Oに関する制約
ガイドライン: ADCグランドプレーンの接続
ガイドライン: ADCリファレンス電圧ピンに関するボードデザイン
ガイドライン: アナログ入力に関するボードデザイン
ガイドライン: 電源ピンとADCグランド (REFGND) に関するボードデザイン
ガイドライン: DDR2、DDR3、およびLPDDR2に対する インテル® MAX® 10のボードデザイン要件
インテル® MAX® 10 FPGAシグナル・インテグリティー・デザイン・ガイドラインの改訂履歴
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ガイドライン: 1.0VのI/Oピンの配置制約
同時スイッチングノイズ (SSN) のI/Oピンへの影響を最小限に抑えるために、1.0V I/O周囲で使用されるI/Oピンの合計相互インダクタンス (Lm) が次の表のガイドラインを超えないようにします。
周囲のピンのI/O規格 | 1.0Vピンとの位置関係 | 周囲のピンの合計Lm |
---|---|---|
1.0V | 同じバンク内 | バンク内の周囲のピンの合計Lmが7.41nHを超えないようにします |
隣接バンク内 | 隣接するバンクの周囲のピンの合計Lmが7.41nHを超えないようにします | |
同じバンク内および隣接バンク内 | 両方のバンクの周囲のピンの総合計Lmが7.41nHを超えないようにします | |
1.0V以外 | 隣接バンク内 | 隣接するバンクの周囲のピンの合計Lmが1nHを超えないようにします |
シナリオ例: 1.0Vピンがバンク3にあり、周囲のピンがバンク3と4にある場合
- バンク3と4がどちらも1.0V - 両方のバンクにある周囲のピンすべての合計Lmが7.41nHを超えないようにします。
- バンク3が1.0Vで、バンク4が2.5V - バンク3にある周囲のピンの合計Lmが7.41nHを超えないようにします。バンク4では合計Lmが1nHを超えないようにします。