インテル® Cyclone® 10 LP デバイス・データシート

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ID 683251
日付 5/08/2017
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ドキュメント目次
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Cyclone® 10 LP デバイス・データシート
Cyclone® 10 LP デバイス・データシート x
動作条件 消費電力 スイッチング特性 I/O タイミング 用語集 改訂履歴
動作条件 x
絶対最大定格 最大許容オーバーシュート/アンダーシュート電圧 推奨動作条件 ESD 性能 DC 特性 I/O 規格仕様
DC 特性 x
供給電流 バスホールド OCT 仕様 最終的なOCT 抵抗の方程式 インピーダンス変化の例 ピン・キャパシタンス 内部ウィークプルアップおよびウィークプルダウン抵抗 ホットソケット シュミットトリガー入力
I/O 規格仕様 x
シングルエンドI/O 規格の仕様 シングルエンドSSTL およびHSTL I/O リファレンス電圧仕様 シングルエンドSSTL およびHSTL I/O 規格信号仕様 差動SSTL I/O 規格の仕様 差動HSTL I/O 規格の仕様 差動I/O 規格の仕様
スイッチング特性 x
コア性能の仕様 周辺性能
コア性能の仕様 x
クロックツリーの仕様 PLL 仕様 エンベデッド・マルチプライヤの仕様 メモリーブロックの仕様 コンフィグレーションおよびJTAG 仕様
周辺性能 x
高速I/O の仕様 デューティサイクル歪み（DCD）の仕様 OCT キャリブレーション・タイミング仕様 IOE プログラマブル遅延
高速I/O の仕様 x
RSDS トランスミッタのタイミング仕様 エミュレートされたRSDS_E_1R トランスミッタのタイミング仕様 Mini-LVDS トランスミッタのタイミング仕様 真のLVDS トランスミッタのタイミング仕様 エミュレートされたLVDS トランスミッタのタイミング仕様 LVDS レシーバーのタイミング仕様
Cyclone® 10 LP デバイス・データシート

OCT 仕様

表 7.   Cyclone® 10 LP デバイスのプロセス、温度、および電圧（PVT）においてキャリブレーションを持たない直列OCT の仕様
記述 VCCIO (V) 抵抗の許容値 単位
商業用最大値 工業用、拡張工業用、および自動車用最大値
キャリブレーションを持たない直列OCT 3.0 ±30 ±40 ％
2.5 ±30 ±40 ％
1.8 ±40 ±50 ％
1.5 ±50 ±50 ％
1.2 ±50 ±50 ％
表 8.   Cyclone® 10 LP デバイスのデバイス・パワーアップ時のキャリブレーション機能を持つ直列OCT の仕様OCT キャリブレーションは、OCT がイネーブルされているI/O に対してデバイス・パワーアップ時に自動的に実行されます。
記述 VCCIO (V) キャリブレーション精度 単位
商業用最大値 工業用、拡張工業用、および自動車用最大値
デバイス・パワーアップ時のキャリブレーションを持つ直列OCT 3.0 ±10 ±10 ％
2.5 ±10 ±10 ％
1.8 ±10 ±10 ％
1.5 ±10 ±10 ％
1.2 ±10 ±10 ％
表 9.   Cyclone® 10 LP デバイスのデバイス・パワーアップ時におけるキャリブレーション後の電圧と温度によるOCT バリエーション

デバイスのパワーアップ時におけるキャリブレーション後のばらつきを考慮し、最終的なOCT 抵抗を決定するには、次の表を使用してください。
公称電圧 dR/dT (％/°C) dR/dV (％/mV)
3.0 0.262 -0.026
2.5 0.234 -0.039
1.8 0.219 -0.086
1.5 0.199 -0.136
1.2 0.161 -0.288

最終的なOCT 抵抗の方程式

ΔRV = (V2 – V1) × 1000 × dR/dV 5 6 7 8

ΔRT = (T2 – T1) × dR/dT 9 10 11 12

ΔRx < 0 の場合、MFx = 1/ (|ΔRx|/100 + 1) 13 14

ΔRx > 0 の場合、MFx = ΔRx/100 + 1 13 14

MF = MFV × MFT 14

Rfinal = Rinitial × MF 14 15 16

インピーダンス変化の例

次のように、3.0 V での25 °C から 3.15 V での85 °C における50 Ω のI/O インピーダンスの変化を計算します。

ΔRV = (3.15 – 3) × 1000 × –0.026 = –3.83

ΔRT = (85 – 25) × 0.262 = 15.72

ΔRV は負であるため、

MFV = 1 / (3.83/100 + 1) = 0.963

ΔRT は正であるため、

MFT = 15.72/100 + 1 = 1.157

MF = 0.963 × 1.157 = 1.114

Rfinal = 50 × 1.114 = 55.71 Ω

5 ΔRV は電圧に対する抵抗の変化です。
6 V2 は最終電圧です。
7 V1 は初期電圧です。
8 dR/dV はデバイスのパワーアップ時におけるキャリブレーション後の電圧による抵抗の変化率です。
9 ΔRT は温度に対する抵抗の変化です。
10 T2 は最終温度です。
11 T1 は初期温度です。
12 dR/dT はデバイスのパワーアップ時におけるキャリブレーション後の温度による抵抗の変化率です。
13 添字x はV とT の両方を指します。
14 MF は増倍率です。
15 Rfinal は最終的な抵抗です。
16 Rinitial は初期抵抗です。
レベル 2 の表題