インテル® Cyclone® 10 LP デバイス・データシート

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ID 683251
日付 5/08/2017
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ドキュメント目次
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Cyclone® 10 LP デバイス・データシート
Cyclone® 10 LP デバイス・データシート x
動作条件 消費電力 スイッチング特性 I/O タイミング 用語集 改訂履歴
動作条件 x
絶対最大定格 最大許容オーバーシュート/アンダーシュート電圧 推奨動作条件 ESD 性能 DC 特性 I/O 規格仕様
DC 特性 x
供給電流 バスホールド OCT 仕様 ピン・キャパシタンス 内部ウィークプルアップおよびウィークプルダウン抵抗 ホットソケット シュミットトリガー入力
I/O 規格仕様 x
シングルエンドI/O 規格の仕様 シングルエンドSSTL およびHSTL I/O リファレンス電圧仕様 シングルエンドSSTL およびHSTL I/O 規格信号仕様 差動SSTL I/O 規格の仕様 差動HSTL I/O 規格の仕様 差動I/O 規格の仕様
スイッチング特性 x
コア性能の仕様 周辺性能
コア性能の仕様 x
クロックツリーの仕様 PLL 仕様 エンベデッド・マルチプライヤの仕様 メモリーブロックの仕様 コンフィグレーションおよびJTAG 仕様
周辺性能 x
高速I/O の仕様 デューティサイクル歪み（DCD）の仕様 OCT キャリブレーション・タイミング仕様 IOE プログラマブル遅延
高速I/O の仕様 x
RSDS トランスミッタのタイミング仕様 エミュレートされたRSDS_E_1R トランスミッタのタイミング仕様 Mini-LVDS トランスミッタのタイミング仕様 真のLVDS トランスミッタのタイミング仕様 エミュレートされたLVDS トランスミッタのタイミング仕様 LVDS レシーバーのタイミング仕様
Cyclone® 10 LP デバイス・データシート

ESD 性能

ESD（静電気放電）電圧は、 Cyclone® 10 LP デバイスGPIO（汎用I/O）およびHSSI（高速シリアル・インターフェイス）I/O に対してHBM（人体モデル）およびCDM（デバイス帯電モデル）を使用します。
表 4.   Cyclone® 10 LP デバイスのGPIO およびHSSI I/O のESD
シンボル パラメーター 通過電圧 単位
VESDHBM HBM（GPIO）を使用するESD 電圧 ± 2000 V
VESDCDM CDM（GPIO）を使用するESD 電圧 ± 500 V
レベル 2 の表題