インテル® 22 nm テクノロジー

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

量産が可能な世界初の 3D トランジスター

3D、22 nm: パフォーマンスと電力効率のコンビネーション

2011年、インテルは、マイクロプロセッサー・ファミリー向けにこれまでのテクノロジーとは根本的に異なる 22 nm の 3D トランジスターを発表し、業界の先駆けとなりました。

これまで、トランジスター (マイクロプロセッサーのコア) は、2D (平面) デバイスでした。インテルは、インテル® 3D トライゲート・トランジスターの開発と、その量産を可能にして、コンピューター・チップの基本構造を劇的に変化させました。トランジスター・チャネルを 3D 構造にすることによりトランジスターの制御を高め、電源オンの状態では電流を最大化してパフォーマンスを最大限に引き出し、電源オフの状態では電流を最小化してリーク電力を抑えています。

このトランジスターによって、インテル® プロセッサーは、高速のスーパーコンピューターから超小型のモバイル端末まで、世界トップクラスの製品に搭載されてきました。

基盤となるトランジスター

トランジスターのサイズと構造は、ムーアの法則の利点をエンドユーザーに届ける重要なテクノロジーの柱です。トランジスターは通常、小型化と低消費電力化を推進することで性能を高めることができます。 インテルは、これからも、予想されているとおりに製造技術の小型化で世界記録を更新し続けていきます。これまでインテルは、2007年に High-k/ メタルゲートの 45nm、2009年に 32 nm、2011年初頭には量産ロジックプロセスでの 22 nm の世界初の 3D トランジスターを、そして 2014年には 14 nm の第 2 世代 3D トライゲート・トランジスターを実現してきました。

トランジスター・テクノロジーの継続的な進歩により、インテルは驚くほど電力効率の高い、さらに強力なプロセッサーを開発できるようになっています。最新のプロセッサーにより、革新的なマイクロアーキテクチャー、システム・オン・チップ (SoC) 設計に加え、サーバーや PC からスマートフォンや最新鋭のコンシューマー向け製品など、新世代の製品の提供が可能になったのです。

インテルがどのようにシリコン製 22 nm チップを生み出しているかご覧ください

3 次元 (3D) のトランジスター

インテル® 3D トライゲート・トランジスターでは、3D 構造のシリコンチャネルに覆われた 3 つのゲートを使用して、画期的なパフォーマンスと電力効率の組み合わせを実現します。インテルは、スマートフォンやタブレットなどの携帯用デバイスで、ほかにはない超低消費電力を実現するとともに、ハイエンド・プロセッサーに常に期待される高いパフォーマンスを発揮する 3D トライゲート・トランジスターを設計しました。

インテルの 22 nm トランジスター・テクノロジーの詳細 ›

第 3 世代インテル® Core™ プロセッサー・ファミリー

2011年末に導入された第 3 世代インテル® Core™ プロセッサーは、3D トランジスターを採用する初の量産チップでした。