インテル® 14 nm テクノロジー

第 2 世代の 3D トライゲート・トランジスターを使用した 14 nm テクノロジーは、驚異的なレベルの性能、低消費電力、高密度、トランジスター当たりのコストを実現し、高性能製品から低電力製品まで、さまざまな製品の製造に使用されています。

インテル® プロセッサー搭載のデバイスは超高速で省電力

モバイルデバイスからサーバーまで、幅広い製品に対応する 14 nm トランジスターは、パフォーマンスを向上させるとともに、リーク電力を削減します。インテルの 14 nm テクノロジーは、サーバーや PC、IoT 用製品など、高性能製品から低電力製品までさまざまな製品の製造で使用されています。

インテルのフェローを務めるマーク・ボーア (Mark Bohr) が、新しい 14 nm のトランジスター・プロセスについて説明しています。トライゲート・トランジスターの薄く高さのあるフィン構造とフィン間隔を狭めることにより、どのようにパフォーマンスの向上、省電力化、バッテリー持続時間の延長を実現し、より良いコンピューティング体験へとつなげているかご覧ください。

インテルの 14 nm テクノロジーは、22 nm から最適なスケールダウンが行われています。トランジスターに薄くて背の高いフィンを採用して、フィン間隔を狭めることで、トランジスター密度を高め、静電容量を低減しました。改善されたトランジスターに必要なのはフィンの数の減少、さらなる高密度化の実現です。SRAM セルサイズは 22 nm の約半分に縮小されています。

インテルの 14 nm プロセスと主要なシステム・オン・チップ (SoC) 製品は、オレゴン州 (2014 年)、アリゾナ州 (2014 年)、アイルランド (2015 年) で認定され、量産されています。