最先端の製造プロセス・テクノロジーで構築
Intel® Foundry で今日まで続く、一貫したイノベーションを実現するというインテルのレガシーを活用しましょう。
4 年間で 5 ノードを超える (5N4Y)
4 年間 で 5 ノード (5N4Y) の野心的な目標達成に向けて、インテルは、Intel Foundry Direct Connect '24 において、拡張プロセス・テクノロジーのロードマップを追加することを明らかにしました。
- Intel 14A を当社の最先端ノード計画へ
- 3D の高度なパッケージング・デザイン向けのスルー・シリコン・ビア搭載 Intel 3-PT を含む、Intel 3、Intel 18A、Intel 14A 向けに特化したノードの進化
- UMC との共同開発で期待される新しい 12 ナノメートルのノードを含む、成熟したプロセスノード。
設計の準備が整ったお客様は、今すぐ インテル・ファウンドリーとのエンゲージメントを開始できます。
Intel 18A: FinFET 以来最大のイノベーション
RibbonFET と PowerVia の紹介:
- 2011年にインテルが HVM に FinFET を導入して以来、最大のイノベーション。
- RibbonFET は、インテル・ファウンドリーによる Gate-All-Around (GAA) トランジスターの実装で、FinFET に比べて密度とパフォーマンスが向上しています。
- 最適化されたリボンスタックは、ワット当たりの優れたパフォーマンスと最小電源電圧 (Vmin) を実現します。
- PowerVia は、インテル独自の業界初となる背面給電アーキテクチャーの実装であり、スタンダードセル使用率を 5 ～ 10% 向上させ、ISO 電力パフォーマンスを最大 4% 向上させます1。
- High Performance Computing (HPC) とモバイル・アプリケーションに最適。
Intel 3: インテルの究極の FinFET ノード
極端紫外線 (EUV) 広範囲に使用したワット当たりのハイパフォーマンス:
- チップ密度 1.08 倍、ワット当たりパフォーマンス 18% 向上を実現する Intel 4 の進化2
- より高密度なライブラリを追加し、ドライブ電流と相互接続を改善しながら、Intel 4 の学習から恩恵を受け、歩留まりを向上させています。
- 一般的なコンピューティング・アプリケーションに最適。
12nm: UMC とのコラボレーションにより顧客の選択肢を拡大
革新的なパートナーシップによるポートフォリオの拡大:
- UMC と Intel Foundry は、12nm テクノロジー・プラットフォームの開発において協力し、インテルの FinFET の専門知識と UMC のロジックおよび mixed-mode/RF エクスペリエンスを組み合わせました。
- 業界における 12nm の競争優位性3。
- より地理的に多様で回復力のあるサプライチェーンを利用することで、顧客のソーシングに関する意思決定において、より幅広い選択肢を提供できます。
- モバイル、ワイヤレス接続、ネットワーキング・アプリケーションなどの高成長市場に最適です。
Intel 16: FinFET への最適なゲートウェイ
平面的な柔軟性を備えた FinFET の利点:
- マスク数が少なく、バックエンドの設計ルールがシンプルな、16nm クラスノードのパフォーマンス。
現在プレビュー中
Intel 14A: RibbonFETT と組み合わせた第 2 世代 PowerVia
業界初の高開口数 (高 NA) EUV
- 高い NA は、コスト効率に優れたスケーリングを基盤としています。
他の世界水準のファウンドリー製品を見る
次世代シリコンの構築を支援するため、インテルは世界各地の製造現場で多大な投資を行い、世界的なリーダーシップを発揮しています。インテル独自の製品は、堅牢なパートナー・エコシステムによって補完された高度なプロセス・テクノロジーよって実現されています。
Intel Foundry Portal
通知および免責事項4
免責事項
ハイパフォーマンス・コンピューティングと SOC 製品アプリケーション向けの Intel 3 Advanced FinFET プラットフォーム・テクノロジーは、2024年 VLSI シンポジウムの一環として紹介されました。
ノード設計の仕様に準じる。
この Web ページには、将来のテクノロジーおよび製品に関して、また、そのようなテクノロジーおよび製品の期待されるメリットと可用性など、インテルの将来の計画や予想について未来の見通しの記述が含まれています。これらの記述は現在の予想に基づいており、実際の結果がそのような記述で表明または暗示されたものと大きく異なる原因となる可能性のある多くのリスクと不確実性を伴います。実際の結果が大幅に異なる原因となり得る要素の詳細については、www.intc.com でインテルの最新の収益に関するリリースおよび SEC 提出書類を参照してください。