インテルの低ハロゲンデバイス
「低ハロゲン」という用語は、現在、明確に定義されておらず、この発行時点で世界中の法律によると要件として義務付けられていません。しかしながら、業界全体で統一された一貫した理解を得るために、インテルは、ソリッド・ステート・デバイスに関連する JEDEC JEP 709の「低ハロゲン」の意味としての定義を採用しています。インテル内では、「低ハロゲン」という用語は JEDEC JEP 709 の第 4 項で定義されており、臭素化および塩素化難燃剤 (BFR、CFR) からの低濃度 の臭素および塩素を含むソリッド・ステート・デバイスを識別するために使用されます。
インテルが採用する JEDEC の定義
JEDEC のガイドラインでは、フッ素 (F)、ヨウ素 (I)、アスタチン (At) といったハロゲンは制限されていません。臭素 (Br)、塩素 (Cl) は、これらの元素のすべての酸化状態を指します。工程で使用されても、最終製品に残存しない材料中の臭素 (Br) や塩素 (Cl) については、JEDEC の定義に含みません。
JEDEC によると、ソリッド・ステート・デバイスが「低ハロゲン」と定義されるには、以下の要件をすべて満たす必要があります。
- ソリッド・ステート・デバイスに含まれるすべてのプリント基板積層板は、IEC 61249-2 の最新版に定義されている Br および Cl の「ハロゲンフリー」要件を満たしている必要があります。
- ソリッド・ステート・デバイス内の各プラスチック材料(プリント基板積層板を除く)は、臭素源が BFR の場合は重量比で < 1000ppm (0.1%) の臭素を、塩素源が CFR の場合は重量比で <1000ppm (0.1%) の塩素を含んでいなければなりません。ソリッド・ステート・デバイスに含まれるプラスチック (デバイスに含まれるプリント基板積層板を除く) には、BFR、CFR でない限り、より高濃度の臭素と塩素が許可されます。
- 臭素および塩素の元素分析は、十分な感度と選択性を有する分析方法で行うことができますが、BFR および CFR の有無は、特定の臭素または塩素化合物の明確な同定を可能にする許容可能な分析技術および / または材料宣誓書、 あるいは顧客とサプライヤーとの間で合意した適切な材料宣誓書によって確認されるものとします。
以下は、インテルの低ハロゲン・デバイスです。
- インテル® Agilex™ 9 FPGA、インテル® Agilex™ 7 FPGA、インテル® Agilex™ 5 FPGA
- Stratix® IV、Stratix® V およびインテル® Stratix® 10
- Cyclone® IV、Cyclone® Vおよびインテル® Cyclone® 10
- Arria® II、Arria® Vおよびインテル® Arria® 10
- HardCopy III,、HardCopy IV および HardCopy V
- MAX® V およびインテル® MAX® 10
- シリアル・コンフィグレーション (EPCS, EPCQ, EPCQ-L, EPCQ-A)
ここに記載されていない旧式のデバイスも、低ハロゲン・デバイスである可能性があります。確認はインテルにお問い合わせください。インテルは、今後すべてのデバイスに低ハロゲン材料を使用する予定です。