記事 ID: 000081358 コンテンツタイプ: トラブルシューティング 最終改訂日: 2021/08/29

メモリー・コントローラーは 1T メモリータイミングを使用

環境

  • インテル® Quartus® II サブスクリプション・エディション
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

    クリティカルな問題

    詳細

    ハイパフォーマンス・コントローラーのバージョン 11.0 以降 II (HPC II) は、ハーフレートのデザインでも 1T メモリータイミングを使用します。1T メモリータイミングにより、特にアドレスとコマンドマージンが減少する可能性があります。 DIMM をターゲットにしたデザイン向け。ボードの設計を確実に行う必要があります。 メモリークロックの立ち上がりエッジを維持するために堅牢である 1T address-command ウィンドウ内に表示されます。次のオプションを使用できます。 PHY 設定タブのアドレスおよびコマンド・クロック・フェーズ・オプション パラメーター・エディターのアドレスとコマンドのフェーズを調整する場合 いる。

    解決方法

    この問題の回避策はありません。

    関連製品

    本記事の適用対象: 1 製品

    インテル® プログラマブル・デバイス

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