記事 ID: 000079422 コンテンツタイプ: トラブルシューティング 最終改訂日: 2021/08/28

フラッシュメモリーの破損

環境

    インテル® Quartus® II サブスクリプション・エディション
BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

クリティカルな問題

詳細

フラッシュメモリーの内容は、消去または書き込み時に破損している可能性があります。 また、Altera・シリアル・フラッシュ・コントローラー用のNios II HALドライバーを使用してメモリーを EPCQ コントローラーと呼ばれます。メモリーの破損は、次の 2 つの方法で発生する可能性があります。

  • EPCQ erase 機能は、位置が以下で指定されていると誤って想定しています。 セクター番号ですが、適切な汎用HAL API の定義にはセクターが必要です。 オフセット。
  • write 関数は指定されたデータを正しく書き込みますが、 引数に指定された長さ。変更された後にデータが破損する データ。
解決方法

Nios II エンベデッド・デザイン・スイート v15.0 以降へのアップグレード。

関連製品

本記事の適用対象: 2 製品

インテル® FPGA コンフィグレーション・デバイス EPCQ
インテル® プログラマブル・デバイス

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