インテル® eASIC™ N3X デバイスは 28nm プロセス、インテル® eASIC™ N2XT デバイスは 45nm プロセスで製造されます。インテル® eASIC™ デバイスは、ロジック、DSP、または IO が大部分を占めるカスタムデバイスの迅速な導入を実現します。

インテル® eASIC™ N3X および N2XT デバイス

 

N2XLT190 (45nm)

N3XT500 (28nm)

eCell 数

184,320

503,424

eDFF 数

122,880

346,104

全加算器数

 

503,424

bRAM (Kbits)

5,161

15,409

bRAM ブロック数

140

1,672

PLL 数

8

16

DLL 数

22

42

MGIO-T

8 (5.0Gbps)

18 (12.5Gbps)

 

CS160 (7x11mm)

 

4/30

FC484 (23mm)

2/484

8/316

FC672 (27mm)

8/372

8/316

FC780 (29mm)

 

14/336

FC896 (31mm)

 

18/336

FC1152 (35mm)

 

18/392

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