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技術仕様

基本仕様

ディスク容量
4 TB
ステータス
Launched
発売日
Q2'17
リソグラフィーの種類
3D NAND TLC

パフォーマンス

順次読み出し(最大)
3200 MB/s
順次書き込み(最大)
1800 MB/s
ランダム・リード (100% スパン)
645000 IOPS
ランダム・ライト (100% スパン)
48000 IOPS
レイテンシー - 読み出し
85 µs
レイテンシー - 書き込み
20 µs
消費電力 - アクティブ時
Sequential Avg. 20.5W (Write), 10.7W (Read)
消費電力 - アイドル時
<5 w

信頼性

耐振動性 - 動作時
2.17 GRMS
耐振動性 - 非動作時
3.13 GRMS
耐衝撃性 (動作時および非動作時)
50 G Trapezoidal, 170 in/s
動作温度範囲
0°C to 35°C
耐久性評価 (書き込み上限数)
4.84 PBW
平均故障間隔 (MTBF)
2 million hours
訂正不能ビット・エラー・レート (UBER)
<1 sector per 10^17 bits read
保証 期間
5 yrs

補足事項

パッケージの仕様

重量
181g
フォームファクター
HHHL (CEM3.0)
インターフェイス
PCIe NVMe 3.1 x4

高度なテクノロジー

強化された停電時データ保護機能
はい
ハードウェア暗号化
AES 256 bit
高耐性テクノロジー(HET)
いいえ
温度監視とログ
はい
エンドツーエンド・データ保護
はい
インテル® スマート・レスポンス・テクノロジー
いいえ
インテル® リモート・セキュア・イレース
いいえ
インテル® ラピッド・スタート・テクノロジー
いいえ

レビュー

機能と利点

クラウドからの発想。ストレージの最適化。

高い効率性により、サーバー当たりのワークロードを向上して TCO を低減するとともにクラウド・インフラストラクチャーに対応する俊敏性を高めます。

クラウドストレージの効率性に最適化

全く新しい NVMe* コントローラーで構成されたこのクラウド向け SSD は、読み取り中心ワークロードに最適化されており、CPU 使用率を最大化するよう設計されています。インテル® SSD DC P4500 シリーズにより、データセンターはより多くのユーザーやサービスへの対応が可能になり、サーバー当たりのワークロードが向上します。こうして、多くのものを格納し、さらに多くのことを把握できます。

ずば抜けた品質と信頼性

業界最先端の品質と信頼性により、ドライブの可用性とデータの安全性を確信できます。保存データの暗号化サポートにより、データ侵害の確率を最小化し、業界最先端のエンドツーエンドのデータ保護により、無兆候データエラーの確率を低減します。1

高度な管理性と保守性

インテル® SSD DC P4500 シリーズは、NVMe*-MI などの高度な管理機能を装えた設計により、さまざまなデバイスの状態をリモートで監視、管理、修復し、重要なサービスの効率化を実現します。

免責事項

この機能は、コンピューティング・システムによっては利用できないことがあります。ご利用のシステムにこの機能が搭載されているかどうか、あるいは機能の互換性に関してシステム仕様 (マザーボード、プロセッサー、チップセット、電源、HDD、グラフィックス・コントローラー、メモリー、BIOS、ドライバー、仮想マシンモニター - VMM、プラットフォーム・ソフトウェア、およびオペレーティング・システム) を参照するには、システムベンダーにご確認ください。機能、パフォーマンス、この機能のその他の利点は、システム構成により異なります。
1

出典 - インテル。エンドツーエンドのデータ保護は、ホスト、SSD コントローラー、メディア間で読み込みまたは書き出しが行われるすべての経路で、データの整合性性を検出および修正する方法を指します。テストは、インテル® SSD DC S3520、インテル® SSD DC P3520、インテル® SSD DC P3510、インテル® SSD DC P4500、Samsung* PM953、Samsung* PM1725、Samsung* PM961、Samsung* PM863、Micron* 7100、Micron* 510DC、Micron* 9100、HGST* SN100、Seagate* 1200.2、SanDisk* CS ECO ドライブで行われました。インテルのドライブエラー率の平均と競合他社のドライブエラー率の平均との比較を基にしています。無兆候データ破損率の特定、およびエンドツーエンドの全般的なデータ保護効果の測定には、中性子放射を使用します。SSD コントローラーのデータ破損原因には、電離放射線、信号ノイズおよびクロストーク、SRAM の不安定性があります。無兆候エラーは、予測データとドライブから得られた実際のデータの比較により、ランタイム時およびドライブが「ハング」した後の再起動時に測定されました。年間のデータ破損率は、ビームの加速で割った加速テスト時の割合から予測されました (JEDEC 標準 JESD89A を参照)。