クラウドからの発想。パフォーマンスを最適化

要点

  • 次世代 144 層 TLC インテル® 3D NAND テクノロジー

  • 低レイテンシーで幅広いクラウド・データセンター・ワークロードを加速化

  • エンタープライズ・セキュリティーと管理機能の向上

  • 混合 I/O における応答性

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

広範囲のワークロードで、今日のデータセンターのパフォーマンス、管理機能、I/O 要件に対応します。

144 層 TLC インテル® 3D NAND テクノロジーで構築されているインテル® SSD D7-P5510 は、オールフラッシュ・アレイ向けにパフォーマンスと容量が最適化され、IT 効率とデータのセキュリティーを向上させる設計になっています。インテル® SSD D7-P5510 は、エンタープライズ向けおよびクラウド環境向けに低レイテンシー、強化された管理機能、スケーラビリティー、クリティカルな新しい NVMe* 機能を提供するインテル® PCIe* 4.0 コントローラーとファームウェアを搭載しています。

U.2 15mm フォームファクターのこの SSD は、1 DWPD で 3.84TB および 7.68TB (書き込み耐久性あり) を実現します。

低レイテンシーによるパフォーマンスの向上

インテル® SSD D7-P5510 シリーズは期待通りの高速性、高パフォーマンスを実現し、オールフラッシュ・アレイを大幅に高速化します。パフォーマンスが最適化された D7-P5510 は、前の世代のインテル® SSD と比較して、最大 2 倍のシーケンシャル・リード・パフォーマンス1、50% 低いレイテンシー2および 50% 向上した混合ワークロード IOPS (70% リード、30% ライト)3 を実現します。

さらに、新しい TRIM アーキテクチャーにより、データセット管理コマンドが使用される実環境のワークロードのパフォーマンスが向上します。最適化された TRIM アーキテクチャーは、同時 TRIM においてパフォーマンスと QoS を改善しつつ、ワークロードに干渉することなくバックグラウンド・プロセスとして動作します。ドライブの耐久性目標達成に役立つライト・アンプリフィケーション (書き込み増加量) の削減により、TRIM 処理が改善されます。

ドライブのパフォーマンス、IT 効率、データのセキュリティー、管理機能に関するファームウェアの強化

インテル® SSD D7-P5510 では、データ中心の世界で IT 効率とデータセキュリティーを向上させるため、ファームウェアの機能が多数強化されています。

動的な複数の名前空間によりランタイム・プロビジョニングとストレージ管理が強化されます。単一の小さな名前空間を備えたオーバープロビジョニング・ドライブにより、耐久性とランダム書き込み性能が向上します。4

  • 拡張 LBA フォーマットのサポートにより、ホスト・ソフトウェアはペイロード・データと共に、メタデータの受け渡しと情報の保護を柔軟に実行します。インテル® SSD D7-P5510 は、512/520/4096/4104/4160B のサイズの VSS をサポートします。
  • Scatter Gather List (SGL) では、ホストにデータを配置する必要性を排除することでパフォーマンスを向上します。
  • インバンドメカニズムとアウトバンド・アクセスを利用して、I/O データフローを混乱させることなくドライブの状態を報告するスマート・モニタリングが強化されています。
  • デバイスのセルフテストは、デバイスの期待通りの動作を確保することで顧客体験を向上させます。ホストシステムがストレージ・デバイス (SSD) の適切な動作を確認するためのテスト (SMART チェック、揮発性メモリー・バックアップ、NVM 整合性、ドライブ寿命などのテスト実行をリクエストできます。
  • テレメトリーにより幅広い種類の保存データへのアクセスが可能になり、インテリジェントなエラー追跡やロギングなどの機能も使えます。これにより問題の検出と緩和への信頼性は高まり、認定サイクルの加速化に役立つため、IT 効率が向上します。
  • TCG Opal* 2.0、設定可能な名前空間ロック、NVM のサニタイズとフォーマットなどの高度なセキュリティー機能にも対応しています。
  • セルフテスト機能が搭載されたパワーロス・イミネント (PLI) 保護スキームでは、システムの電源が突然失われた場合でも、データの喪失を防ぐことができます。エンド・ツー・エンドのデータパス保護スキームと組み合わせた 5PLI 機能により、システムレベルの不具合から起こるデータ破損が許されない強靭なデータセンターへの導入も容易になります。

NAND テクノロジーの業界リーダー

144 層のインテル® 3D NAND テクノロジーは業界トップの面密度6とデータ保持能力7を有しており、企業ユーザーが自信を持ってストレージ・アレイを拡張し、成長するニーズに対応することができます。ソフトウェアによって定義されるハイパーコンバージド・インフラストラクチャーの急速な採用により、運用上の信頼性を維持しながら効率を最大化し、既存のハードウェアを活性化し、サーバーの俊敏性を増やすための要件が増大します。

エンタープライズ・サーバーの業界上位の製造企業では、スケーラブルなパフォーマンス、低レイテンシー、継続的なイノベーションにより、PCIe* / NVMe* ベースの SSD を採用することで対応しています。AI および Analytics などのますます I/O 負荷の高いワークロードの需要に対応することは、企業戦略の中核的要素になっています。

機能一覧

モデル インテル® SSD D7-P5510
容量とフォームファクター U.2 15mm: 3.84TB、7.68TB
インターフェイス PCIe* 4.0 x4、NVMe* 1.3c
メディア インテル® 3D NAND テクノロジー、144 層、TLC
パフォーマンス 128K シーケンシャル R/W 最大 7,000/4,194MB/秒
最大 930K/190K IOPS のランダム 4KB R/W
耐久性 1 DWPD (最大 14PBW)
信頼性

UBER: 1 セクター / 1017 ビットリード

MTBF: 200 万時間

消費電力

最大平均アクティブ・ライト: 18W

アイドル: 5W

保証 5 年限定保証

AIのストレージインフラストラクチャ

AIの価値を最大限に引き出すためには、ストレージの効率を改善しながら、非常に可変性の高いAIストレージワークロードを加速することがきわめて重要です。高速で効率的でスケーラブルなAIデータストレージパイプラインの構築を開始する方法を学びます。

AI対応にするために、ストレージを最新化します。

インテル® ソリッドステート・ドライブ


ストレージのイノベーションを推進するために開発中のテクノロジーをご紹介します。

通知および免責事項8

脚注 1~3 の構成: テストおよびシステム構成: メインボード: インテル® サーバー・ボード S2600WFT、バージョン: R2208WFTZS、BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847、プラットフォーム・アーキテクチャー: x86_64、CPU: インテル® Xeon® Gold 6140 プロセッサー (2.30GHz)、CPU ソケット: 2、RAM 容量: 32G、RAM モデル: DDR4、OS のバージョン: centos-release-7-5、ビルド ID: 1804、カーネル: 4.14.74、NVMe* ドライバー: Inbox、FIO バージョン: 3.5、Microsemi* の PCIe* 4.0 スイッチを使用。P5510、P5316 は、それぞれ JCV10100 および ACV10005 ファームウェアでテストしました。

免責事項

1

シーケンシャル・リード・パフォーマンスが最大 2 倍向上 - 記述は、インテル® SSD D7-P5510 128KB シーケンシャル・リード (7.0GB/秒) とインテル® SSD DC P4510 128KB シーケンシャル・リード (3.20GB/秒) との比較に基づいています。 テスト日: 2020年10月。

2

レイテンシーが最大 50% 向上 – 記述は 6(9s) での 4KB ランダム 75/25 ワークロードに基づいています。インテル® SSD D7-5510 (1100us) はインテル® SSD DC P4510 (2539us) と比較してレイテンシーが 50% 向上しています。テスト日: 2020年10月。

3

混合ワークロード IOPS が最大 50% 向上 - 記述は、インテル® SSD D7-P5510、7.684TB 4KB 混合 70/30 (400K) とインテル® SSD DC P4510、8TB (226K) との比較に基づいています。テスト日: 2020年10月。

4

 単一の小さな名前空間を備えたオーバープロビジョニング・ドライブの利点について、次の記事をご覧ください: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provision-nand-base-base-ss-beter-endurance-whitepaper.pdf

5

ソース – Los Alamos。ソースでテストされたドライブ: Ros Alamos Neutron Science Center、https://lansce.lanl.gov/serials/wnr/index.php。10^6 中性子加速係数。以下のシングルポート SSD でテストを実施: インテル® SSD DC S3520、インテル® SSD DC P3520、インテル® SSD DC P3510、インテル® SSD DC P4500、インテル® SSD DC S4500、インテル® SSD DC P4800X、インテル® SSD D7-P55XX、インテル® SSD D7-P56XX、Samsung* PM953、Samsung* PM1725、Samsung* PM961、Samsung* PM863、Samsung* PM963、Samsung* 860DCT、Samsung* PM883、Samsung* PM983、Micron* 7100、Micron* 510DC、Micron* 9100、Micron* 5100、Micron* 5200、HGST* SN100、Seagate* 1200.2、SanDisk* CS ECO、Toshiba* XGS、Toshiba* Z6000ドライブ インテルのシングルポート・ドライブで測定された無兆候データ破損はゼロで、累積測定時間は 500 万時間を超えています。無兆候データ破損率の特定、およびエンドツーエンドの全般的なデータ保護効果の測定には、中性子放射を使用します。SSD コントローラーのデータ破損原因には、電離放射線および SRAM の不安定性があります。無兆候エラーは、予測データとドライブから得られた実際のデータの比較により、ランタイム時およびドライブが「ハング」した後の再起動時に測定されました。年間のデータ破損率は、ビームの加速で割った加速テスト時の割合から予測されました (JEDEC 標準 JESD89B/C を参照)。

6

ソース: ISSCC 2015、J。国際会議メンバー; R Yamashita (ISSCC 2017); C Kim (ISSCC 2017); H (ISSCC 2018)。Maejima (ISSCC 2019 C)。Siau。

7

測定は、フローティング・ゲート・テクノロジーおよびチャージ・トラップ・フラッシュ・テクノロジーを使用して、SSD のコンポーネントで実行されました。使用された測定プラットフォームは Teradyne* の Magnum 2* テストシステムであり、ランダムパターンとマージンを使用したプログラミングは、ユーザーのコマンドを使用して定量化されました。2019年8月に測定されたデータ。

8

性能は、使用状況、構成、その他の要因によって異なります。詳細については、www.Intel.co.jp/PerformanceIndex を参照してください。

パフォーマンス実績は構成情報に記載された日に実施したテストに基づくものであり、公開中のアップデートがすべて適用されているとは限りません。構成の詳細については、バックアップを参照してください。絶対的なセキュリティーを提供できる製品やコンポーネントはありません。

コストと結果は状況によって変わります。

インテルは、サードパーティーのデータについて管理や監査を行っていません。正確さを評価するには、他のソースを参照する必要があります。

インテルのテクノロジーを使用するには、対応するハードウェア、ソフトウェア、またはサービスの有効化が必要となる場合があります。