インテル® Stratix® 10 MX FPGA

インテル® Stratix® 10 MX FPGA は、メモリー帯域幅の課題に対処し、ハイパフォーマンス・コンピューティング (HPC)、データセンター、ネットワーク機能仮想化 (NFV)、放送機器向けアプリケーションの高速化を実現します。 これらのデバイスは、インテル® Stratix® 10 FPGA & SoC のプログラマビリティーおよび柔軟性と、3D スタック高帯域幅メモリー 2 (HBM2) を統合しています。インテル® Hyperflex™ FPGA アーキテクチャーは、パッケージに収容されたメモリータイルから帯域幅を効果的に活用できる高性能コア・ファブリックを可能にします。DRAM メモリータイルは、インテルのエンベデッド・マルチダイ・インターコネクト・ブリッジ (EMIB) テクノロジーを使用して FPGA に物理的に接続されています。

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インテル® Stratix® 10 MX FPGA

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比較
製品名
ステータス
発売日
ロジックエレメント (LE)
デジタル信号処理 (DSP) ブロック
最大組込み機器向けメモリー
パッケージオプション
価格
Intel® Stratix® 10 MX 2100 FPGA Launched 2017 2073000 3960 239.5 Mb F2597, F2912
Intel® Stratix® 10 MX 1650 FPGA Launched 2017 1679000 3326 223.5 Mb F2597, F2912

機能と利点

アプリケーション

EMIB を使用したチップレベルの実装

画期的な Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) テクノロジーが、アナログ、メモリー、ASIC、CPU など、システムに不可欠なコンポーネントの効果的なインパッケージ実装を可能にします。EMIB は、ほかのインパッケージ実装テクノロジーよりシンプルな製造フローを提供します。EMIB では、シリコン貫通ビア (TSV) や専用のインタポーザー・シリコンを使用する必要がありません。その結果、性能がより高く、複雑さが抑えられ、シグナル・インテグリティーとパワー・インテグリティーが優れ、高集積のシステムインパッケージ製品を実現できます。インテルの EMIB テクノロジーの詳細については、インテルの Custom Foundry ウェブサイト (http://www.intel.com/content/www/us/en/foundry/emib.html、英語) を参照してください。

従来のアプローチ

  • チップ間帯域幅に限界がある。
  • システム消費電力が大きすぎる。
  • フォームファクターが大きすぎる。

ヘテロジニアス SiP アプローチ

  • 帯域幅の拡大。
  • 低消費電力。
  • 小型のフォームファクター。
  • 機能の強化。
  • プロセスノードの混在が可能。

メモリー

パッケージ内にニアメモリーを持った FPGA

インテルのニア・メモリー・ソリューションでは、高集積度の DRAM が同一パッケージ内で FPGA に隣接して統合されています。 この構造により、従来のメインメモリーの最大 10 倍の帯域幅で、はるかに高速にインパッケージ・メモリーにアクセスすることができます。また、このニアメモリー構成は、ボード面積も縮小しながら FPGA とメモリー間のトレースを短縮し、システム消費電力も低減します。

DRAM システムインパッケージ (SiP) ソリューションは、高帯域幅メモリー 2 (HBM2) を利用してデータセンター、放送、ワイヤーライン・ネットワーキング、高性能コンピューティング・システムなど、増加の一途をたどるデータ量を処理する高性能システムのメモリー帯域幅に関するボトルネックを解消します。

HBM2 DRAM

HBM2 DRAM は、シリコン貫通ビア (TSV) テクノロジーによって複数の DRAM ダイを積層した 3D メモリーです。HBM2 DRAM は、ディスクリート DDR ベースのソリューションより高いメモリー帯域幅、低いシステム消費電力、小さなフォームファクターによって高いワット当たり帯域幅を提供します。

インテル® Stratix® 10 MX デバイスは、HBM2 タイルを高性能モノリシック 14nm FPGA ダイに隣接して集積し、ディスクリート DRAM ソリューションの 10 倍を超えるメモリー帯域幅を提供します。