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Intel.com サーチを使用

いくつかの方法で Intel.com のサイト全体を簡単に検索できます。

  • 製品名: Core i9
  • 文書番号: 123456
  • Code Name: Emerald Rapids
  • 特別な演算子: “Ice Lake”, Ice AND Lake, Ice OR Lake, Ice*

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  1. インテル® 18A | インテルの最大のプロセス・イノベーションをご覧ください

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インテル® 18A: インテルの最大のプロセス・イノベーションを見る

Intel Foundry プロセス・テクノロジーの最新進歩である RibbonFET と業界初となる PowerVia 背面給電を採用し、顧客が革新的な設計を実現するのを支援します。

インテル® 18A が顧客プロジェクトに対応できるようになりました

プラットフォームの概要をご覧ください。インテル® 18A の画期的なイノベーションと業界における優位性、および Intel Foundry プロセスノードの幅広いポートフォリオにおけるユースケースの詳細についてご確認いただけます。

プラットフォームの概要を読む

インテル® 18A の差別化

  • インテル® 3 プロセス・ノードと比較して、ワット当たりのパフォーマンスが最大 15% 向上、チップ密度が 30% 向上。1
  • 北米で製造された、最先端の 2nm 以下のノードで、顧客に耐障害性に優れた供給の代替手段を提供します。
  • 業界初の PowerVia 背面給電テクノロジーにより、密度とセル使用率を 5 ~ 10% 向上させ、抵抗性給電の低下を低減します。その結果、フロントサイド給電設計と比較して、ISO 電力パフォーマンスが最大 4% 向上し、固有抵抗 (IR) 低下が大幅に減少します。2
  • RibbonFET ゲート・オールラウンド (GAA) トランジスター・テクノロジーにより、電流の正確な制御が可能。RibbonFET は、ますます高密度化するチップにおいて重要な課題である消費電力の低減を実現しつつ、チップ・コンポーネントのさらなる小型化を可能にします。
  • Omni MIM コンデンサーは、誘導電力の低下を大幅に低減し、チップの安定した動作を向上させます。この機能は、生成 AI のような急激で高負荷な演算性能を必要とする最新のワークロードにとって不可欠です。
  • 業界標準の EDA ツールとリファレンス・フローに完全対応しており、他のテクノロジー・ノードからのスムーズな移行が可能になります。EDA パートナーが提供するリファレンス・フローにより、インテルの顧客は他の背面電源ソリューションに先駆けて PowerVia の設計を開始できます。
  • EDA、IP、デザインサービス、クラウドサービス、航空宇宙、防衛など多岐にわたる分野で業界をリードする 35 社を超えるパートナー企業からなる堅固なエコシステムの連携体制を構築し、幅広い顧客の支援を確保し、導入のさらなる容易化を実現します。

インテル® 18A ファミリーがさらなる拡大を継続

インテル® 18A-P

インテル® RibbonFET と PowerVia テクノロジーの 2 回目の導入を基盤に、次世代のパフォーマンスと強化された電力効率を実現します。新しい低閾値電圧とリーク最適化デバイス、新しい微細粒のリボン幅を搭載し、ワット当たりの性能の大幅な向上3とトランジスターの性能の向上を実現しながら、すべての設計ルールとの互換性を確保しています。

インテル® 18A-PT

インテル® 18A-PT は、次世代の 3DIC デザインを構築する AI と HPC の顧客向けに設計されており、インテル® 18A-P のパフォーマンスと電力効率の向上を活用しています。最新のバックエンド・メタルスタック、パススルー TSV、ダイ間 TSV、および業界をリードするピッチを実現した高度なハイブリッド・ボンディング・インターフェイス (HBI) を搭載し、高度なワークロード向けに類い稀なスケーラビリティーと統合性を提供し、顧客が AI とハイパフォーマンス・コンピューティングの限界を突破するのを支援します。

PowerVia

トランジスタの密度が増加するにつれて、混合信号と電力のルーティングが混雑を引き起こし、性能が低下する可能性があります。Intel Foundry の業界初となる PowerVia テクノロジーは、コースピッチの金属とバンプをダイの背面に移動させ、標準セルごとにナノスケールのスルーシリコンビアス (nano-TSV) を埋め込むことで、効率的な電力分配を可能にします。

PowerVia は、標準的なセルの使用率を 5~10%、ISO パワー・パフォーマンスを最大 4% 向上させます。2

RibbonFET

RibbonFET は、トランジスタのチャネル内の電流を厳密に制御可能であり、チップの密度がますます高まる中で重要な懸念事項である電力漏れを削減しつつ、チップコンポーネントのさらなる小型化を実現します。

RibbonFET は、ワット当たりのパフォーマンス、最小電圧 (Vmin) 動作、および静電気特性を向上させ、大幅なパフォーマンス優位性を実現します。また、RibbonFET は、多様なリボン幅と複数のしきい値電圧 (Vt) タイプにより、高度な調整機能を提供します。

アプリケーションと利用用途

HPC と AI

高性能と高電力効率を要求するアプリケーションにおいて、RibbonFET の優れたチャネル制御は、高駆動電流と拡張性により、ワット当たりのトランジスター性能を向上させます。

AI による画像信号処理、ビデオとビジョン

PowerVia は、産業用途における製品設計に大きな影響を及ぼす可能性があります。その低 IR 降下、信号ルーティングの改善、フロントサイドセルの活用率向上により、消費電力の大幅な低減に貢献します。RibbonFET の面積削減により、より小さなチップに高機能を搭載することが可能となり、コンパクトな医療用および産業用センサーに有益です。

モバイルおよびベースバンド・プロセッサー

モバイル・アプリケーションの独自の要件に対応するため、インテルは最適化されたインテル® 18A-P プロセスノードを提供しています。インテルの高度な製造技術により、一貫した信頼性の高いパフォーマンスがを実現するとともに、微調整された閾値電圧により、卓越した電力効率を提供します。これにより、モバイルデバイスのバッテリー持続時間が全体的に向上します。

航空宇宙 / 防衛

航空宇宙および防衛分野における新たなユースケースでは、より高いコンピューティング能力が求められおり、これには厳格なサイズ、重量、消費電力、コスト (SWaP-C) 要件が伴うことが多くあります。インテル® 18A の低 IR 降下は、消費電力に制約のあるアプリケーションに必要な効率を提供しつつ、パフォーマンスを向上させます。

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Intel Foundry Accelerator のエコシステム・アライアンス

IP、EDA、デザイン・サービス、クラウド、USMAG、バリューチェーン、Chiplet Alliances にわたるエコシステム・パートナーから、主要分野で包括的なサポートを受けられます。

詳細を見る

インテル® 18A の動作

Clearwater Forest サーバー・プロセッサーは、Intel 18A と Intel Foundry の高度なパッケージング技術との組み合わせにより、その可能性を実証しています。

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Intel Foundry のさらなる情報

グローバルな製造

インテル® 18A は、信頼性が高く、サステナブルで安全な世界規模の製造ネットワークを介して提供されます。

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高度なパッケージングとテスト

Intel Foundry は、最先端のインターコネクト、2D、2.5D、3D パッケージングでのリーダーシップ、包括的なアセンブリーおよびテストサービスを提供します。

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製品と性能に関する情報

1

2024年2月時点での Intel 18A と Intel 3 を比較したインテルの社内分析に基づきます。結果は状況により異なります。

2

インテルの PowerVia テクノロジー: 高密度およびハイパフォーマンス・コンピューティング向け背面給電 | IEEE カンファレンス・パブリケーション | IEEE Xplore。

3

2024年2月時点での Intel 18A と Intel 3 を比較したインテルの社内分析に基づきます。結果は状況により異なります。

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