1. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるI/Oと高速I/O
6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスのコンフィグレーション、デザインのセキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける SEUの緩和
9. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでのJTAGバウンダリー・スキャン・テスト
10. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. インテル® Cyclone® デバイスにおけるエンベデッド・メモリーブロックの改訂履歴
5.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O と差動 I/O バッファー
5.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスにおける I/O 規格と電圧レベル
5.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおけるインテルFPGA I/O IP コア
5.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O リソース
5.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O のアーキテクチャーと一般機能
5.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける高速ソース・シンクロナス SERDES および DPA
5.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の使用
5.8. デバイスにおけるI/Oと高速I/O
5.7.1. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.5. ガイドライン: LVDS SERDES IPコアのインスタンス化
5.7.6. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.7. ガイドライン : インテル® Cyclone® 10 GX GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.8. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
6.1. インテル® Cyclone® 10 GX 外部メモリー・インターフェイス・ソリューションの主な特徴
6.2. インテル® Cyclone® 10 GXデバイスでサポートされるメモリー規格
6.3. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス幅
6.4. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスI/Oピン
6.5. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスパッケージのメモリー・インターフェイスのサポート
6.6. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
6.7. インテル® Cyclone® 10 GX デバイスでの外部メモリー・インターフェイスのアーキテクチャー
6.8. デバイスでの外部メモリー・インターフェイス
2.2.3.2. 混合ポートの Read-During-Write モード
混合ポートの Read-During-Write モードは、2 つのポートが同じクロックを使用して、同じメモリーアドレスで読み取りおよび書き込み動作を実行する ( 一方のポートがアドレスから読み取り、他方のポートがアドレスに書き込む )、シンプルおよびトゥルー・デュアルポート RAM モードに適用されます。
| 出力モード | メモリータイプ | 説明 |
|---|---|---|
| "new data" | MLAB | 異なるポートへの Read-During-Write 動作は、レジスターされた MLAB 出力を生じさせ、データが MLAB メモリーに書き込まれた後、次の立ち上がりエッジで "new data" を反映します。 このモードは、出力がレジスターされた場合にのみ使用可能です。 |
| "new data" | M20K、MLAB | 異なるポートへの Read-During-Write 動作により、RAM 出力は特定のアドレスにある "new data" の値を反映します。 MLAB では、このモードは出力がレジスターされた場合にのみ使用可能です。 |
| “don’t care” | M20K、MLAB | RAM は “don’t care” または “unknown” の値を出力します。
|
| "constrained don't care" | MLAB | RAM は “don’t care” または “unknown” の値を出力します。Quartus Prime プロ・エディションソフトウェアは MLAB で書き込み動作と読み取り動作間のタイミングを分析します。 |
図 15. 混合ポートの Read-During-Write : New Data モード次の図は、“new data” モードでの混合ポート Read-During-Write 動作のサンプル機能波形を示しています。
図 16. 混合ポートの Read-During-Write : Old Data モード次の図は、“old data” モードでの混合ポート Read-During-Write 動作のサンプル機能波形を示しています。
図 17. 混合ポートの Read-During-Write : Don’t Care または Constrained Don’t Care モード次の図は、“don’t care” または “constrained don’t care” モードの混合ポート Read-During-Write 動作のサンプル機能波形を示しています。
デュアルポート RAM モードでは、入力レジスターが同じクロックを有する場合に混合ポートの Read-During-Write 動作がサポートされます。