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絶対最大定格
この項では、 インテル® Arria® 10の最大動作条件を定義します。ここで示す値は、デバイスが破損に至るまでの理論的なモデリングや損壊のメカニズムといったデバイス試験結果に基づいており、これらの条件下でのデバイスの機能的動作を示すものではありません。
注意:
次の表に記載されている範囲外の条件は、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。さらに、絶対最大定格で長期間デバイスを動作すると、デバイスに悪影響を与えることがあります。
シンボル | 説明 | 条件 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
---|---|---|---|---|---|
VCC | コア電源電圧 | — | -0.50 | 1.21 | V |
VCCP | ペリフェラル回路およびトランシーバー・ファブリック・インターフェイスの電源 | — | -0.50 | 1.21 | V |
VCCERAM | エンベデッド・メモリー電源 | — | -0.50 | 1.36 | V |
VCCPT | プログラマブル・パワー・テクノロジーおよびI/Oプリドライバー用の電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
VCCBAT | デザイン・セキュリティー揮発性キーレジスター用のバッテリー・バックアップ電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
VCCPGM | コンフィグレーション・ピン電源 | 1 | -0.50 | 2.46 | V |
VCCIO | I/Oバッファー電源 | 3 V I/O | -0.50 | 4.10 | V |
LVDS I/O | -0.50 | 2.46 | V | ||
VCCA_PLL | フェーズ・ロック・ループ (PLL) アナログ電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
VCCT_GXB | トランスミッター電源 | — | -0.50 | 1.34 | V |
VCCR_GXB | レシーバー電源 | — | -0.50 | 1.34 | V |
VCCH_GXB | トランシーバー出力バッファー電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
VCCL_HPS | HPSコア電圧およびペリフェラル回路電源 | — | -0.50 | 1.27 | V |
VCCIO_HPS | HPS I/Oバッファー電源 | 3 V I/O | -0.50 | 4.10 | V |
LVDS I/O | -0.50 | 2.46 | V | ||
VCCIOREF_HPS | HPS I/Oプリドライバー電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
VCCPLL_HPS | HPS PLL電源 | — | -0.50 | 2.46 | V |
IOUT | ピンあたりのDC出力電流 | — | –25 2 3 4 5 6 | 25 | mA |
TJ | 動作接合温度 | — | -55 | 125 | °C |
TSTG | 保存温度 (バイアスなし) | — | -65 | 150 | °C |
1 LVDS I/O値は、全ての専用および兼用コンフィグレーションI/Oに適用可能です。
2 デバイスの電源が入っていない場合、またはパワーアップ/パワーダウン状態の場合に、LVDS I/Oバンクピンを流れる最大電流は10 mAです。
3 LVDS I/Oバンクあたりの合計電流は100 mAを超えてはなりません。
4 電圧レベルは1.89 Vを超えてはなりません。
5 シングルエンドおよび差動I/Oを含む、LVDS I/OバンクでサポートされているすべてのI/O規格および設定に適用されます。
6 LVDS I/Oバンクにのみ適用されます。3 V I/Oバンクはこの仕様の対象外であり、電源シーケンス要件に従って実装する必要があります。詳細については、AN 692: インテル® Cyclone® 10 GX、 インテル® Arria® 10、および インテル® Stratix® 10デバイスの電源シーケンスについての考慮事項、および インテル® Arria® 10デバイスにおけるパワー・マネジメントの章を参照してください。