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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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5.7.2.2. 電圧リファレンス形式の I/O 規格
電圧リファレンス形式の I/O 規格に対応するには、次の条件を満たす必要があります。
- 各 Arria® 10 FPGA I/O バンクに、専用のVREFピンが含まれている
- 各バンクは単一の VCCIO電圧レベルと単一の電圧リファレンス (VREF) レベルのみ有することができる
電圧リファレンス形式の入力バッファーは、VCCPTによって電源が供給されます。そのため、シングルエンド規格または差動規格に対応する I/O バンクは、次の条件の下、異なる電圧リファレンス形式の規格をサポートすることができます。
- VREFが同じレベルである
- オンチップパラレル終端 (RT OCT) がディスエーブルされている
RT OCTをイネーブルする場合、入力規格の電圧とバンクの VCCIOが一致している必要があります。
この機能により、2.5 V 以下の VCCIOを有する I/O バンクに電圧リファレンス形式の入力信号を配置することができます。例えば、HSTL-15 入力ピンは VCCIOが2.5 Vの I/O バンクに配置することができます。ただし、RTOCT がイネーブルされた電圧リファレンス形式の入力では、入力規格の電圧を一致させるために I/O バンクの VCCIOが必要です。VCCIOが 2.5 V のとき、RT OCT は HSTL-15 I/O 規格向けにサポートすることができません。