インテル® Arria® 10 コア・ファブリックおよび汎用 I/O ハンドブック

ID 683461
日付 6/21/2017
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ドキュメント目次

5.6.6.1.4.1. RSKM の式

次の RSKM 式は、RSKM、TCCS、および SW 間の関係を示します。
図 122. RSKM の式


式に使用される規則は次の通りです。

  • RSKM — レシーバーのクロック入力およびデータ入力サンプリング・ウィンドウ間のタイミングマージン、ならびにコアノイズと I/O スイッチング・ノイズが引き起こすジッター
  • TUI (Time Unit Interval) — シリアルデータの時間周期
  • SW — LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングするために、入力データが安定していることが必要な期間。SW はデバイス特性であり、デバイスのスピードグレードに応じて異なる。
  • TCCS — 同じ PLL によって駆動されるチャネル間の最高速出力エッジと最低速出力エッジ間のタイミングの差。TCCS 値には tCOのばらつき、クロック、およびクロックスキューが含まれる。
注: チャネル間スキューを追加する場合は、TCCS ではなくレシーバーのチャネル間スキューの合計 (RCCS) を考慮してください。「合計 RCCS = TCCS + ボードのチャネル間スキュー」です。

データレートとデバイスに基づいて RSKM 値を計算し、LVDS レシーバーがデータをサンプリングできるかどうかを判断する必要があります。

  • トランスミッター・ジッターを差し引いた後の正の RSKM 値は、LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングできることを示します。
  • トランスミッター・ジッターを差し引いた後の負の RSKM 値は、LVDS レシーバーがデータを正しくサンプリングできないことを示します。
図 123.  非 DPA モードの差動高速タイミング図およびタイミングバジェット次の図は、レシーバーの RSKM、TCCS、および SW の関係を表しています。