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1. Arria® 10デバイスにおけるロジック・アレイ・ブロックおよびアダプティブ・ロジック・モジュール
2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・ブロック
3. Arria® 10デバイスにおける可変精度 DSP ブロック
4. Arria® 10デバイスにおけるクロック・ネットワークおよび PLL
5. Arria® 10 デバイスにおける I/O と高速 I/O
6. Arria® 10 デバイスにおける外部メモリー・インターフェイス
7. Arria® 10デバイスにおけるコンフィグレーション、デザイン・セキュリティー、およびリモート・システム・アップグレード
8. Arria® 10デバイスにおける SEUの緩和
9. Arria® 10デバイスにおける JTAG バウンダリー・スキャン・テスト
10. Arria 10デバイスにおけるパワー・マネジメント
2.1. エンベデッド・メモリーの種類
2.2. Arria® 10デバイスにおけるエンベデッド・メモリー・デザイン・ガイドライン
2.3. エンベデッド・メモリーの機能
2.4. エンベデッド・メモリー・モード
2.5. エンベデッド・メモリーのクロッキング・モード
2.6. メモリーブロックでのパリティービット
2.7. エンベデッド・メモリー・ブロックでのバイトイネーブル
2.8. メモリーブロックのパックモード・サポート
2.9. メモリーブロックのアドレス・クロック・イネーブルのサポート
2.10. メモリーブロックの非同期クリアー
2.11. メモリーブロック誤り訂正コードのサポート
2.12. 改訂履歴
5.7.1. Arria® 10 デバイスにおける I/O および高速 I/O の一般的なガイドライン
5.7.2. 電圧リファレンス形式および非電圧リファレンス形式の I/O 規格の混在
5.7.3. ガイドライン : パワーシーケンス中に I/O ピンをドライブしない
5.7.4. ガイドライン : HPS 共有 I/O バンクでの I/O ピンの使用
5.7.5. ガイドライン : 最大 DC 電流制限
5.7.6. ガイドライン : アルテラ LVDS SERDES IP コアのインスタンス化
5.7.7. ガイドライン : ソフト CDR モードの LVDS SERDES ピンペア
5.7.8. ガイドライン : Arria 10 GPIO 性能でのジッターへの高影響の最小化
5.7.9. ガイドライン : 外部メモリー・インターフェイスのための I/O バンク 2A の使用
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10.4.2.1.3. MD[1:0] が 2'b11 の場合のコア・アクセス・モードでの電圧センサーへのアクセス
下のタイミング図は、MD[1:0] が 2'b11 の場合に、コア・アクセス・モードで電圧センサーへアクセスするための IP コアの要件を示しています。
図 181. MD[1:0] が 2'b11 の場合のタイミング図
- corectl信号を Low から High へ遷移させることで、コア・アクセス・モードをイネーブルします。
ステップ 2 に進む前に、最短 2 クロックパルス待機します。
- reset信号をディアサートすることで、電圧センサーのリセット状態を解除します。
ステップ 3 に進む前に、最短 2 クロックパルス待機します。
- コンフィグレーション・レジスターへの書き込みおよび 8 クロック・サイクルでのcoreconfig信号のアサートにより、電圧センサーをコンフィグレーションします。コア・アクセス・モードのコンフィグレーション・レジスターは 8 ビット幅で、コンフィグレーション・データはコンフィグレーション・レジスター内シリアルにシフトインされます。
- chsel[3:0]信号で変換するチャネルを指定します。chsel[3:0]信号のデータは、coreconfig信号がディアサートされる前に準備されている必要があります。
- coreconfig信号が Low になり、コンフィグレーション・レジスターとchsel[3:0]信号で定義されたコンフィグレーションに基づいた変換の開始を示します。
- chsel[3:0]信号で次に変換するチャネルを指定します。chsel[3:0]信号のデータは、eoc信号がアサートされる 1 サイクル前に準備されている必要があります。eocとeosステータス信号をポーリングして、ステップ 4 でchsel[3:0]信号で定義した最初のチャネルへの変換が完了したかを確認します。eoc信号の立ち下がりエッジでdataout[5:0]信号の出力データをラッチします。
- 後続のすべてのチャネルにステップ 6 を繰り返します。