1.10. 動作条件

エンハンスド・コンフィギュレーション（EPC）デバイス・データシート

ダウンロード PDF

ID 683253

日付 5/04/2016

バージョン current

Public

インテルのみ表示可能 — GUID: sss1452752797934

Ixiasoft

詳細を見る

1.10. 動作条件

表 14. EPCデバイスの絶対最大定格
シンボル	パラメータ	条件	最小値	最大値	単位
V_CC	電源電圧	GNDに対して	-0.2	4.6	V
V_I	DC入力電圧	GNDに対して	-0.5	3.6	V
I_MAX	DC、VCCまたはグランド電流	—	—	100	mA
I_OUT	ピンあたりのDC出力電流	—	-25	25	mA
P_D	消費電力	—	—	360	mW
T_STG	保存温度	バイアスなし	-65	150	C
T_AMB	周囲温度	バイアス時	-65	135	C
T_J	ジャンクション温度	バイアス時	—	135	C

表 15. EPCデバイスの推奨動作条件
シンボル	パラメータ	条件	最小値	最大値	単位
V_CC	3.3V動作用の電源電圧	—	3	3.6	V
V_I	入力電圧	GNDに対して	-0.3	VCC + 0.3	V
V_O	出力電圧	—	0	VCC	V
T_A	動作温度範囲	一般用	0	70	C
		工業用	-40	85	C
		軍事用¹⁰	-55	125	C
T_R	入力立ち上がり時間	—	—	20	ns
T_F	入力立ち下がり時間	—	—	20	ns

表 16. EPCデバイスのDC動作条件
シンボル	パラメータ	条件	最小値	標準値	最大値	単位
V_CC	コアへの供給電圧	—	3	3.3	3.6	V
V_IH	Highレベル入力電圧	—	2	—	V_CC + 0.3	V
V_IL	Lowレベル入力電圧	—	—	—	0.8	V
V_OH	3.3VモードHighレベルTTL出力電圧	I_OH = –4 mA	2.4	—	—	V
V_OH	3.3VモードHighレベルCMOS出力電圧	I_OH = –0.1 mA	V_CC – 0.2	—	—	V
V_OL	Lowレベル出力電圧TTL	I_OL = –4 mA DC	—	—	0.45	V
V_OL	Lowレベル出力電圧CMOS	I_OL = –0.1 mA DC	—	—	0.2	V
I_I	入力リーク電流	V_I = V_CCまたはグランド	-10	—	10	µA
I_OZ	トライ・ステート出力オフ状態電流	V_O = V_CCまたはグランド	-10	—	10	µA

表 17. EPCデバイスのICC供給電流値
シンボル	パラメータ	条件	最小値	標準値	最大値	単位
I_CC0	電流（スタンバイ）	—	—	50	150	µA
I_CC1	VCC供給電流（コンフィギュレーション時）	—	—	60	90	mA
I_CCW	VCCW供給電流	—	—	¹¹	¹¹	—

表 18. EPCデバイスのキャパシタンス
シンボル	パラメータ	条件	最小値	最大値	単位
CIN	入力ピン・キャパシタンス	—	—	10	pF
COUT	出力ピン・キャパシタンス	—	—	10	pF

¹⁰ EPC16デバイスのUBGA88パッケージでのみ適用されます。

¹¹ VCCW供給電流の情報については、www.altera.comで該当するフラッシュ・メモリー・データシートを参照してください。