インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイド

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ID 683241
日付 1/08/2021
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ドキュメント目次
ドキュメント目次 x
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 4. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのIPのリファレンス 5. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデバッグ 6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドのアーカイブ 7. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの改訂履歴
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要 x
1.1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの機能
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能 x
2.1. インテルAgilexエンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル 2.2. アドレス・クロック・イネーブルのサポート 2.3. 非同期クリアと同期クリア 2.4. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート 2.5. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのクロックモード 2.6. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのコンフィグレーション 2.7. Force-to-Zero 2.8. コヒーレント読み出しメモリー 2.9. フリーズロジック 2.10. 真のデュアルポートのデュアルクロック・エミュレーター 2.11. 読み出しアドレスレジスターと書き込みアドレスレジスターの初期値 2.12. M20Kブロックのタイミングまたは消費電力最適化の機能 2.13. インテルAgilexでサポートされるエンベデッド・メモリーIP
2.1. インテルAgilexエンベデッド・メモリー・ブロックにおけるバイト・イネーブル x
2.1.1. バイト・イネーブルの制御 2.1.2. データバイト出力 2.1.3. バイト・イネーブルの動作
2.4. メモリーブロックの誤り訂正コード (ECC) のサポート x
2.4.1. パリティービット 2.4.2. ECCのパリティーフリップ 2.4.3. ECC Read-During-Writeの動作 2.4.4. 誤り訂正コードの真理値
2.5. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのクロックモード x
2.5.1. シングル・クロック・モード 2.5.2. 読み出し/書き込みクロックモード 2.5.3. 入力/出力クロックモード 2.5.4. クロックモードにおける非同期/同期クリア 2.5.5. 同時読み出し/書き込みにおける出力読み出しデータ 2.5.6. クロックモードにおける独立したクロックイネーブル
2.6. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのコンフィグレーション x
2.6.1. 混合幅のポート・コンフィグレーション
2.8. コヒーレント読み出しメモリー x
2.8.1. 転送ロジック
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項 x
3.1. 選択するメモリーブロックの検討 3.2. 同時読み出し動作の検討 3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ 3.4. 電源投入時の状態とメモリー初期化の検討 3.5. 消費電力の削減 3.6. 非決定的な入力の使用に関する制限 3.7. クロック信号と他の制御信号の同時変更に関する制限 3.8. インテル® Quartus® Prime開発ソフトウェアにおけるメモリーの高度な設定
3.3. Read-During-Write動作のカスタマイズ x
3.3.1. 同一ポートのRead-During-Writeモード 3.3.2. 混合ポートのRead-During-Writeモード
4. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのIPのリファレンス x
4.1. RAMおよびROMのオンチップ・メモリー・インテルFPGA IPコア 4.2. eSRAM Intel Agilex FPGA IP 4.3. FIFO Intel FPGA IP 4.4. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IP
4.1. RAMおよびROMのオンチップ・メモリー・インテルFPGA IPコア x
4.1.1. RAMおよびROMのインテルFPGA IPのリリース情報 4.1.2. RAM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.3. RAM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.4. RAM: 4-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.5. ROM: 1-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.6. ROM: 2-PORT Intel FPGA IPのパラメーター 4.1.7. パラメーター設定の手動変更 4.1.8. RAMおよびROMのインターフェイス信号
4.1.7. パラメーター設定の手動変更 x
4.1.7.1. RAMおよびROMのパラメーターの設定
4.2. eSRAM Intel Agilex FPGA IP x
4.2.1. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのリリース情報 4.2.2. eSRAMシステムの機能 4.2.3. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのパラメーター 4.2.4. eSRAM Intel Agilex FPGA IPのインターフェイス信号 4.2.5. eSRAMのタイミング図
4.2.2. eSRAMシステムの機能 x
4.2.2.1. eSRAMの仕様
4.3. FIFO Intel FPGA IP x
4.3.1. FIFO Intel FPGA IPのリリース情報 4.3.2. コンフィグレーション方法 4.3.3. 仕様 4.3.4. FIFOの機能におけるタイミング要件 4.3.5. SCFIFOのALMOST_EMPTY機能のタイミング 4.3.6. FIFOの出力ステータスフラグとレイテンシー 4.3.7. FIFOの準安定状態の保護および関連オプション 4.3.8. FIFOの同期クリアと非同期クリアの影響 4.3.9. SCFIFOおよびDCFIFOの先行表示モード 4.3.10. 異なる入力幅と出力幅 4.3.11. DCFIFOのタイミング制約の設定 4.3.12. 手動インスタンス化のコーディング例 4.3.13. デザイン例 4.3.14. クロック・ドメイン・クロッシングでのグレイコード・カウンター転送 4.3.15. エンベデッド・メモリーECC機能向けガイドライン 4.3.16. FIFO Intel FPGA IPのパラメーター 4.3.17. リセットスキーム
4.3.3. 仕様 x
4.3.3.1. Verilog HDLプロトタイプ 4.3.3.2. VHDLのコンポーネント宣言 4.3.3.3. VHDLのLIBRARY-USE宣言 4.3.3.4. FIFOの信号 4.3.3.5. FIFOのパラメーター設定
4.3.8. FIFOの同期クリアと非同期クリアの影響 x
4.3.8.1. DCFIFOコンパイル時の回復と削除のタイミング違反警告
4.3.11. DCFIFOのタイミング制約の設定 x
4.3.11.1. 組み込みタイミング制約 4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約
4.3.11.2. ユーザーでコンフィグレーション可能なタイミング制約 x
4.3.11.2.1. SDCコマンド
4.4. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IP x
4.4.1. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IPのリリース情報 4.4.2. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IPの機能 4.4.3. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IPの基本的な説明 4.4.4. Shift Register (RAM-based) Intel FPGA IPのパラメーターの設定 4.4.5. シフト・レジスター・ポートとパラメーターの設定
1. インテルAgilexエンベデッド・メモリーの概要
2. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのアーキテクチャーと機能
3. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデザインに関する考慮事項
4. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのIPのリファレンス
5. インテルAgilexエンベデッド・メモリーのデバッグ
6. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドのアーカイブ
7. インテル® Agilex™ エンベデッド・メモリー・ユーザーガイドの改訂履歴

4.2.2. eSRAMシステムの機能

eSRAMシステムは、読み出しおよび書き込み同時要求の処理、データの整合性および一貫性の確保、電力効率の最大化に向けた機能を提供します。

特定のeSRAMシステムでは、750MHzの最大周波数を達成することができます。利用可能なeSRAMシステムの数は、使用しているインテルAgilexデバイスによって異なります。

eSRAMシステム内のすべてのメモリー ポートには、1つの書き込みポートと1つの読み出しポートがあり、読み出しおよび書き込みの同時要求を処理することができます。各 ポートでは、独自のバンクにのみアクセスすることができます。それにより、それぞれの ポートが隣接するポートから独立していることを保証します。

eSRAMシステムには誤り訂正コード (ECC) があります。ECCは常に、ユーザーがアクセスすることができるデータ容量を消費することで 有効になっています。ECCでは、書き込みデータを拡張ハミングコードでエンコードし、シングルビット・エラー訂正とダブルビット・エラー検出 (SECDED) に読み出しデータをデコードすることにより、データの整合性を向上させることができます。

Write Forwardingと呼ばれるデータ・コヒーレンシーの機能があります。これを使用すると、同じeSRAMメモリー位置への同時書き込みおよび読み出しアクセスの処理が可能になります。書き込みポートの書き込みデータが読み出しポートに転送されます。ターゲットのSRAMバンクからは読み出されません。ただし、書き込みデータはターゲットのeSRAMバンクに書き込まれます。

レベル 2 の表題