外部メモリー・インターフェイス Agilex™ 7 FシリーズおよびIシリーズFPGA IPユーザーガイド

ID 683216
日付 3/29/2024
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ドキュメント目次

7.3.3.5. QDR IV SRAMのデータ、DINV、QVLD信号

読み出しデータはQKAまたはQKB#クロックにエッジでアライメントされています。また、書き込みデータはDKAおよびDKB#クロックに中央でアライメントされています。
QKはDLLによってシフトされるため、クロックエッジを使用してキャプチャー・レジスターでDQを入力することができます。
図 150. 読み出し時のエッジ・アライメントされているDQとQKの関係


図 151. 書き込み時の中央アライメントされているDQとDKの関係


同期読み出し/書き込み入力のRWx#は、同期ロード入力のLDx#とともに使用され、読み出しまたは書き込み動作を示します。ポートAの場合、これらの信号はCKクロックの立ち上がりエッジでサンプリングされ、ポートBの場合、これらの信号はCKクロックの立ち下がりエッジでサンプリングされます。

QDR IV SRAMデバイスはすべてのデータピンを反転する機能を備えており、DQデータバスのデータ反転ピンDINVxを使用して潜在的な同時スイッチング・ノイズを低減します。このピンは、DQxピンが反転しているかを示します。

データピンの反転機能を有効にするには、パラメーター・エディターのMemoryタブにある、Configuration Register SettingsセクションのOption Controlパラメーターに移動します。

QDR IV SRAMデバイスにはまた、有効な読み出しデータを示すQVLDピンがあります。QVLD信号はQKxまたはQKx#にエッジでアライメントされており、メモリーからデータが出力される約1/2クロックサイクル前にHighになります。

注: インテル® ZFPGA外部メモリー・インターフェイスIPはQVLD信号を使用しません。